Numonyx StrataFlash Cellular Memory (M18) 数据手册 本文件为Numonyx™ StrataFlash® Cellular Memory (M18) Datasheet的产品特性介绍，包括高性能读写擦除、架构、质量和可靠性、功耗等
AMD Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 说明书(1)(1) Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 该存储器支持单电源供电，全电压范围为 2.7 至 3.6 伏，用于电池供电的应用。
AMD Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 说明书(1) 该文档介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的信息。这款产品是一种16兆位（2 M x 8位）CMOS 3.0伏特独立引导扇区闪存存储器。其特点包括单电源操作、制造工艺为0.35微米、高性能、超低功耗、灵活的扇区架构等。
USB Read/Write Memory Adapter MAUSB-300 REFERENCE MANUAL 这是一款适用于 xD-Picture Card™ 的读写器，支持 USB 2.0 接口，可通过 USB 连接电脑，无需安装驱动即可使用。
olympus MAUSB-300 USB Read/Write Memory Adapter Start Guide 该文件是关于MAUSB-300 USB读写记忆卡适配器的使用说明书，介绍了适配器的使用方法、注意事项、兼容性等信息。
olympus USB Memory Adapter MAUSB-500 REFERENCE MANUAL USB Memory Adapter REFERENCE MANUAL MAUSB-500是佳能设计的一款专门用于读写xD-Picture Card™的设备。用户可以使用配备USB端口的计算机，快速、轻松地将大量数据传输到卡上或从卡中传输出来。
infineon MEMORY SPECTRUM Product Information 2004 Memory Spectrum产品信息，介绍了Infineon的memory产品系列，包括DDR400 Components and DIMMs（PC3200）、2 GB DDR2 Unbuffered DIMM、4 GB DDR2 Registered DIMM、16 Mb and 32 Mb CellularRAM、512 Mb Mobile-RAM“Green**”、DRAM Components and Modules、512 Mb and 1 Gb TwinNAND Components、SD Cards / MultiMediaCards等
AMD Am29LV320MT/B 32 Megabit (2 M x 16-Bit/4 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 说明书 Am29LV320MT/B是一款32 Megabit (2 M x 16-Bit/4 M x 8-Bit)的MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory，具有单电源供电操作、128-word/256-byte的SecSi (Secured Silicon) Sector区域、灵活的扇区架构等特点。
ATMEL 1-megabit (64K x 16) 5-volt Only Flash Memory AT49F1024 AT49F1025 说明书 AT49F1024和AT49F1025是5伏特的只读闪存，其1兆字节的存储器组织为65,536个字16位。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，在商用温度范围内功耗仅为275mW，访问时间为35ns。当器件被复位时，CMOS待机电流小于100µA。AT49F1024和AT49F1025的唯一区别在于封装。为了允许简单的在系统内重编程，AT49F1024/1025不需要高输入电压进行编程。五伏特的命令确定了读写操作。
intel 28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16) k Flash Memory (C3) Datasheet Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)是一种功能丰富的低功耗解决方案，采用Intel的最新0.13µm和0.18µm技术制造。C3设备具有低电压能力（3V读取、编程和擦除）以及高速、低功耗操作。灵活的块锁定允许任何块独立锁定或解锁。通过Intel® Flash Data Integrator (FDI)软件，提供了一种经济、灵活的、单片代码加数据存储解决方案。
Intel StrataFlash Memory(J3) DATA SHEET Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) Datasheet 数据表介绍了Intel StrataFlash Memory (J3) 256-Mbit (x8/x16) 产品的特点特性
