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IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁定免疫CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器，用于最小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。