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IR2112(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和自锁电容MOS技术能够实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，电压可降至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计，可降低驱动器交叉导通。