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HIP6601B, HIP6603B 和 HIP6604B 是高频双 MOSFET 驱动器，专门设计用于驱动两个功率 N 通道 MOSFET，以构成同步整流降压转换器拓扑。这些驱动器与 HIP63xx 或 ISL65xx 系列多相降压 PWM 控制器和 MOSFET 配合使用，形成用于高级微处理器的完整核心电压调节器解决方案。HIP6601B 驱动同步整流器中的下门到 12V，而上门可以独立驱动 5V 至 12V 范围。HIP6603B 驱动上门和下门 5V 至 12V 范围。这种驱动电压灵活性提供了优化涉及开关损耗和导通损耗之间的权衡的应用的优势。HIP6604B 可以配置为 HIP6601B 或 HIP6603B。HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 的输出驱动器能够以高达 2MHz 的频率高效切换功率 MOSFET。每个驱动器能够以 30ns 的传播延迟和 50ns 的转换时间驱动 3000pF 负载。这些驱动器具有极低的 EMI，并通过了 AEC-Q100 认证。