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该文件介绍了Intersil Corporation 1999年的产品HCTS193DMSR和HCTS193KMSR的订购信息和特性。这些产品是敏感的静电放电设备，需遵循正确的集成电路处理程序。它们采用3微米的辐射硬化CMOS SOS技术，总剂量为200K RAD(Si)，具有较低的单事件故障率和较高的剂量速率抗性。产品的温度范围为-55°C到+125°C，功耗较LSTTL ICs低。