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更新: 28 September, 2023
ISSI IS61C1024和IS61C1024L是非常高速、低功耗、131,072字x 8位CMOS静态RAM。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺结合创新的电路设计技术，提供了更高的性能和低功耗设备。该产品具有高速访问时间、低功耗和易于应用等特点。
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MD5: 0B6811416A85B9417191A302951D4D67
发布时间: 10 May, 2012
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连接: ISSI IS61C1024 IS61C1024L 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 说明书 PDF