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MB85R1002是一种FRAM芯片，由65,536个字x16位的非易失性存储单元组成，使用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术制造。MB85R1002可以在不使用备用电池的情况下保持数据，这与SRAM不同。MB85R1002中使用的存储单元可以进行至少1010次读写操作，这是对Flash存储器和E2PROM所支持的读写操作次数的显着改进。MB85R1002使用与传统异步SRAM兼容的伪SRAM接口。