工业器械 - 第3210页

HYNIK HY57V561620(L)T 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

HY57V561620T是一种268,435,456位的CMOS同步DRAM，适用于需要大容量和高带宽的主存储器应用。它由4个4,194,304 x 16的存储块组成，具有完全同步操作和内部流水线设计，支持多种可编程选项。

HYNIK HY29F080 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory

HY29F080是一种8兆位（1M x 8）的5伏特仅供电闪存存储器。它具有5伏特读取、编程和擦除功能，高性能，低功耗等特点。它与JEDEC标准兼容，支持扇区擦除架构，擦除暂停/恢复，扇区组保护等功能。

HYNIK HY27US(08/16)281A Series 128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash

这份文档介绍了HY27US(08/16)281A系列128Mbit（16Mx8bit / 8Mx16bit）NAND Flash的特点和特性。

Honeywell HX6356 Data Sheet

32K x 8 STATIC RAM—SOI HX6356 航空航天电子产品

VISHAY High Voltage Chip Resistors Data Sheet

该文件介绍了Vishay Techno品牌的CRHV系列高压芯片电阻器产品的特点特性，包括电阻范围、电阻精度、温度系数、电压额定值、短时过载特性、外形尺寸、封装材料、工作温度范围、使用寿命等。

FAIRCHILD HUFA76404DK8T N-Channel Dual MOSFET Data Sheet

该文档介绍了HUFA76404DK8T N-通道双MOSFET的特点和特性，包括最大额定电压、漏极电流、功率耗散等。

FAIRCHILD HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3S Data Sheet

该产品是Fairchild Semiconductor Corporation制造的HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3S 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs，该产品具有优异的性能，可以用于电源效率要求高的应用场景，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

HOLTEK HT6P20X Series 2 24 OTP Encoder

HT6P20X系列224OTP编码器是一款CMOS LSI编码器，专为遥控系统应用而设计。它可以编码24位信息，并在接收到发射使能信号（数据引脚：D0~D7）后通过DOUT引脚将其串行传输。HT6P20X的地址和数据位组合采用一次编程工艺设计。此外，该芯片提供各种封装，以便灵活组合可编程地址/数据，以满足各种应用。当接收到触发信号时，其可编程地址/数据将与抗码位一起通过射频或红外传输介质进行传输。

HOLTEK HT46R22/HT46C22 8-Bit A/D Type MCU

HT46R22/HT46C22是飞利浦半导体的产品，这是一款8位高性能RISC类微控制器，适用于多个I/O产品应用。它特别适用于洗衣机控制器和家用电器等产品。

NEL HS-A870 series CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS Data Sheet

HS-A870系列石英晶体振荡器提供MECL 10K和10KH系列兼容信号，采用行业标准的四引脚DIP封装。系统设计者现在可以指定节省空间、成本效益的封装PECL振荡器来满足其时序要求。

HANBit HMN1288J Data Sheet

HNM1288J是韩比特电子生产的一种无挥发性静态随机存储器，采用了1,048,576-bit的静态RAM组织方式，为131,072字节乘以8位。该产品还具有自包含的锂能量源，可提供可靠的非挥发性，并与标准SRAM的无限写入周期和集成控制电路相结合，该电路会不断监视单个5V电源，以检测超出容差的条件。当发生这种情况时，锂能量源会自动切换到维持内存状态，直到Vcc返回有效状态，并且会无条件启用写保护以防止数据错误。此外，该SRAM还会无条件地进行写保护，以防止意外的写入操作。此时，集成能量源会切换到维持内存状态，直到VCC返回有效状态。HMN1288J采用了极低的待机电流CMOS SRAM，并与小型锂电池相结合，可提供无挥发性，而不需要长时间的写入周期和与EEPROM相关的写入周期限制。

Hittite HMC287MS8 GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 2.3 - 2.5 GHz

该文件介绍了MICROWAVE CORPORATION 8 - 28的价格、交货和下订单的方式。其中包括了HMC287MS8 GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER的特点特性，如增益、噪音系数、单正电源等。

HM6264A Series 8192-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM

HM6264A系列8192字×8位高速CMOS静态RAM是完全静态内存，无需时钟或定时触发器，具有快速访问时间、单+5V电源、直接TTL兼容和电池备份操作功能。

HITACHI HM514260C Series HM51S4260C Series 数据手册

Hitachi HM51(S)4260C是一种CMOS动态RAM，以262,144字×16位的方式组织。它采用0.8微米CMOS工艺和一些新的CMOS电路设计技术，实现了更高的密度、更高的性能和各种功能。HM51(S)4260C提供快速页模式作为高速访问模式。复用地址输入使HM51(S)4260C可以封装在标准的400毫米40引脚塑料SOJ和标准的400毫米44引脚塑料TSOPII中。内部刷新计时器使HM51S4260C能够进行自刷新操作。

FAIRCHILD SUBMINIATURE T-3/4 LED DIFFUSED AND CLEAR LAMPS 数据手册

这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的T-3/4亚迪光散射和透明灯，包括高效红色、黄色和绿色灯。灯具有亚迪红色、高效红色、绿色和黄色的染色散射或透明环氧树脂镜头，产生宽角度光束发射和清晰的开/关对比。灯具有多种引脚弯曲形式，适用于不同的安装需求。