工业器械 - 第3207页

KMM5364005CSW/CSWG 4Byte 4Mx36 SIMM是Samsung公司生产的4Mx36bits Dynamic RAM高密度内存模块，由两颗CMOS 4Mx16bits和一颗CMOS Quad CAS 4Mx4bits DRAMs组成，使用TSOP封装，安装于72-pin玻璃环氧基板上，每个DRAM都安装有0.1或0.22uF的去耦电容，KMM5364005C是带有边缘连接的单线内存模块，用于安装到72针边缘连接器插槽中。

KMM5364003BSW/BSWG是三星生产的4Mx36bits动态随机存储器(DRAM)高密度存储模块，该模块由两个CMOS 4Mx16位和一个CMOS Quad CAS 4Mx4位DRAMs在TSOP包装中组成，安装在一个72针玻璃环氧基板上。每个DRAM上都安装了一个0.1或0.22uF去耦电容器。KMM5364003B是带有边缘连接的单个内存模块，用于安装在72针边缘连接器插座中。

该文件介绍了三星KMM53216000B高密度内存模块的特点和特性，包括16Mx32位动态RAM、快页模式操作、CAS-before-RAS和隐藏刷新功能等。

这是一份关于KM681002A和KM681002AI CMOS SRAM的初步版本数据表。该产品是128Kx8高速静态RAM，工作电压为5V，具有革命性的引脚布局，可在商业和工业温度范围内运行。

该文档介绍了Fairchild Power Switch (FPS)产品系列的特点和特性，包括精密固定工作频率、低启动电流、脉冲电流限制、过流保护、过压保护、内部热关断功能、欠压锁定等。该产品适用于VCR、SVR、STB、DVD和DVCD等设备的开关电源，以及打印机、传真机、扫描仪等设备的适配器。

该文件介绍了1N821UR到1N829AUR-1系列的温度补偿表面贴装Zener参考二极管。这些参考二极管提供了6.2V和6.55V的标称电压，并具有最低为0.0005%/oC的温度系数，以在7.5mA工作时实现温度下电压变化的最小化。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管可选择添加“-1”后缀以获得内部金属结合。此类结合Zener封装构造也可在JAN、JANTX和JANTXV军事资格中获得。Microsemi还提供多种其他Zener参考二极管产品，适用于多种其他电压高达200V。

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本文介绍了Microsemi Scottsdale Division生产的Silicon 500 mW Zener Diodes产品系列的特点和应用。该产品系列包括1N746至1N759A和1N4370至1N4372A型号，可在广泛的工作电流和温度范围内稳定电压。具有多种不同的规格和认证选项。

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该文件介绍了1瓦特金属外壳稳压二极管系列的特点和特性，适用于3.3至7.5伏的低电压选择，适用于高可靠性应用，并提供了多种型号和军规资格。

该文件介绍了ECM Electronics Limited的ECM UCR系列表面贴装电源电感器的特点和特性，包括竞争价格、低轮廓等。同时提供了不同型号的电感器的尺寸和电感范围。

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ISL6609, ISL6609A 同步整流 MOSFET 驱动器是 Intersil 高频、 MOSFET 驱动器，经过优化可驱动两个 N 通道功率 MOSFET，构成同步整流降压转换器拓扑。ISL6609 和 ISL6609A 与 Intersil ISL63xx 或 ISL65xx 多相 PWM 控制器配合使用，可形成高性能先进微处理器的高效率高开关频率单级核心电压调节器解决方案。 IC 由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地降低高 MOSFET 门电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每 个驱动器能够驱动 3nF 负载，上升/下降时间不到 10ns。通过内部低正向降压二极管实现上门驱动的引导，降低实现成本、复杂性，并允许使用性能更高、成本更有效的 N 通道 MOSFET。集成自适应开关保护，可防止两个 MOSFET 同时导通。ISL6609、ISL6609A 具有 4A 典型吸收电流，可增强下 MOSFET 门保持电流，在 PHASE 节点上升沿期间防止由于开关节点高 dv/dt 而导致下 MOSFET 自开关而造成的电力损耗。 ISL6609、ISL6609A 还具有一个可以识别高阻态的输入，与 Intersil 多相 PWM 控制器协同工作，以防止控制输出上的负瞬态。

ISL6226是Intersil（安森美半导体）公司推出的一款高性能便携式应用PWM和线性电源控制器。ISL6226集成了固定、可选频率的脉宽调制控制器（PWM）和3A LDO线性调节器控制器，并具有监测和保护电路，封装在单个24引脚SSOP中。PWM控制器将电池输入电压调节为用户选择的输出电压。轻负载下的同步转换器和滞后操作有助于在宽范围的输入电压和负载变化下实现高效率。通过使用较低的MOSFET的rDS(ON)作为电流检测元件，可进一步提高效率。输入电压前馈斜坡调制、电流模式控制和内部反馈补偿提供了快速而稳定的处理，处理先进便携式计算机芯片组中遇到的输入电压负载瞬变。内部线性调节器控制器从不受调节的输入提供用户选择的高电流输出，并具有用户选择的电流限制。

ISL59444是一个单输出的4:1 MUX-amp，具有固定增益为1和1GHz的带宽。该器件适用于专业视频切换、高清电视、计算机显示路由和其他高性能应用。该器件包含用于通道选择（S0、S1）、锁存控制信号（LE1、LE2）和三态输出控制（HIZ）的逻辑输入，用于单独选择共用视频输出线的MUX放大器。所有逻辑输入都有拉下到地的电阻，可以悬空使用。