IXYS IXTH 50N20/IXTM 50N20 说明书 该文件介绍了IXYS公司的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅电池结构、低封装电感、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS 该文件介绍了IXYS公司的IXTH 50P10标准功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)值、坚固的多晶硅栅电池结构、抗击穿能力强、低封装电感等。该产品适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备等应用领域，具有易于安装、节省空间和高功率密度的优点。
IXYS IXTH / IXTM 5N100，IXTH / IXTM 5N100A 数据手册 5N100 和 5N100A 是 IXYS 生产的 N 沟道增强型标准功率 MOSFET，具有国际标准封装、低 RON、高可靠性等特点。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源 (UPS) 和 DC 斩波器等应用。
IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册 这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。
IXYS IXTH 12N90/IXTM 12N90 数据手册 IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。
IXYS IXTQ 110N055P/IXTA 110N055P/IXTP 110N055P 数据手册 本文件为IXTQ 110N055P的datasheet，主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。
IXYS IXTQ 180N055T/IXTA 180N055T/IXTP 180N055T 数据手册 该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。
IXYS IXTA 1N100 IXTP 1N100 说明书 该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性，包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。
IXYS IXTA/IXTP 3N120，IXTA/IXTP 3N110 数据手册 IXTA/IXTP 3N120和3N110是IXYS公司的高压功率MOSFET。它们具有国际标准的封装、低RDS（on）、unclamped Inductive load Switching（UIS）额定值和UL 94 V-0 阻燃性等优点。
IXYS IXTA 5N50P/IXTP 5N50P/IXTY 5N50P 说明书 5N50P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，其特点是国际标准封装，无钳位电感开关（UIS）额定，低封装电感易于驱动和保护，具有易于安装、节省空间和高功率密度等优点。
IXYS IXTQ 75N10P IXTA 75N10P IXTP 75N10P 数据手册 该文件介绍了PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode的特点特性，包括国际标准包装、未钳位感应开关(UIS)额定、低包装电感等
IXTQ IXTH 10P60 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的TO-247 AD型号功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、引脚定义、最大温度、最大电压和电流等。该产品具有低RDS（on）值、可靠的结构、抗电弧能力和低包装电感等特点，适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备。
