IXYS IXTK 120N25 数据手册 这是一个关于IXTK 120N25 VDSS = 250 V ID25 = 120 A 产品的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括低 RDS（on）HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等。
IXYS IXTK 140N20P 说明书 IXTK 140N20P是一种高性能N沟道增强型功率MOSFET，其最大电压可达200V，最大电流可达140A。它具有国际标准封装、无钳位感性开关(UIS)额定、低封装电感等特点，易于驱动和保护。
IXYS IXTK 250N10 说明书 该文件是关于IXYS公司的产品技术信息，介绍了其特点和性能参数。该产品采用低RDS (on) HDMOSTM工艺，具有坚固的多晶硅栅电池结构，适用于电机控制、直流斩波器、开关电源、直流-直流转换器和线性稳压器等应用领域。
IXYS IXTK 33N50 数据手册 IXTK 33N50是IXYS公司生产的一款大功率N沟道增强型MOSFET，其最大导通电流为33A，最大漏源电压为500V，开关速度快，应用于电机控制、DC斩波器、不间断电源供应(UPS)、开关电源和谐振电源等领域。
IXYS IXTK 62N25 说明书 IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。
IXYS IXTQ 82N25P 数据手册 IXTQ 82N25P是IXYS的一款N沟道增强型功率MOSFET，其特点是采用国际标准封装，具有无钳位感应开关(UIS)额定值，封装电感低，易于驱动和保护。
IXYS IXTH/IXTM 6 N80A 数据手册 ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点
IXYS IXTH 15N70 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation的MegaMOSTMFET N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这款晶体管具有700V的最大耐压、15A的最大电流、0.45Ω的开态电阻、低RDS(on)值等。它适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源等应用领域。
IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTH / IXTM 21N50 数据手册 IXTH / IXTM 21N50 和 24N50 是 IXYS 公司的 MegaMOSTMFET N 沟道增强型 MOSFET，最大电压为 500 V，最大电流为 21 A 和 24 A，最大功率为 300 W。
IXYS IXTH 35N30/IXTH 40N30/IXTM 40N30 说明书 IXTH 35N30/40N30/40N30 MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET器件，最大工作电压300V，最大电流35A/40A/40A，开关时间快，应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。
