SIEMENS KPY 41-MR, KPY 46-MA/MR 数据手册 该产品是一款硅压力传感器模块，具有高稳定性、高线性度、温度补偿的跨度和偏移电压、坚固的316L不锈钢外壳、带螺纹的压力连接端口、满量程5V输出信号和开漏输出。
三星 KM416V4004C,KM416V4104C 数据手册 KM416V4004C,KM416V4104C CMOS DRAM 是一款4,194,304 x 16 位扩展数据输出模式 CMOS DRAM 产品，支持高带宽、低功耗和高可靠性。该产品可选项包括刷新周期（4K Ref.或8K Ref.）、访问时间（-45、-5或-6）和功耗（正常或低功耗）。所有产品均具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。此外，L 版本还支持自刷新操作。
三星 K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R 数据手册 K4M56323LE是一种同步高数据速率动态RAM，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。它具有多种特性和功能，包括LVCMOS兼容、四个银行操作、MRS循环和EMRS循环等。
三星 K4M511533E - Y(P)C/L/F 数据手册 K4M511533E - Y(P)C/L/F 是三星公司发布的一款同步高数据速率动态随机存储器，其容量为536,870,912比特，组织方式为4 x 8,388,608字节×16位，采用三星公司高性能CMOS技术制造。该器件采用同步设计，可通过使用系统时钟来精确控制周期，并且可以在每个时钟周期中进行I/O事务。该器件支持多种工作频率、可编程突发长度和可编程延迟，使其能够在各种高带宽和高性能存储系统应用中发挥作用。
三星 DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16) 数据手册 This is a technical specification document for 512Mb C-die DDR SDRAM 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
JZX-18FF 数据手册 JZX-18FF系列是香港华丰电气有限公司生产的高性能中间继电器，具有7A的开关能力，2到4极的配置，1.5KV的绝缘电容器到接触器，各种端子，测试按钮可用，Au-claded接触器可用，符合CE低压指令。
intersil ISL6524 数据手册 ISL6524是一款集成了PWM控制器和三个线性控制器的电源控制和保护芯片。它可以为高性能微处理器和计算机应用提供四个输出电压的控制和保护功能。该芯片集成了一个PWM控制器和三个线性控制器，以及监测和保护功能。PWM控制器通过同步整流降压转换器来调节微处理器核心电压。一个线性控制器为计算机系统的AGTL+ 1.2V总线供电。另外两个线性控制器分别调节1.5V AGP总线和芯片组核心电压和/或缓存存储电路的1.8V电压。ISL6524包括一个与Intel VRM8.5兼容的TTL 5输入数字模拟转换器(DAC)，可以以25mV步长调整微处理器核心PWM输出电压，范围从1.050V到1.825V。线性稳压器使用外部N沟道MOSFET或双极NPN通道晶体管来提供固定的1.2V±3%、1.5V±3%和1.8V±3%的输出电压。ISL6524监测所有的输出电压，并在核心PWM开始逐渐上升之前发出延迟上升的VTT(VOUT2输出)电源好信号。当核心电压达到DAC设置值的±10%，且所有其他输出电压都高于其欠压水平时，发出另一个系统电源好信号。该芯片还具有内置的过压保护功能。
