lnfineon BB669/BB689... 数据手册 BB669/BB689是飞利浦公司生产的二极管产品，它具有非常高的电容比和低的电阻，适用于2-Band-hyperband-TV-tuners等领域。
lnfineon BAW56 数据手册 该数据表格主要提供BAW56S的最大额定值，电气特性等信息。BAW56S是安森美半导体生产的一种硅开关二极管，具有高转换速度和双共阳极配置。最大额定值包括反向电压、峰值反向电压、正向电流、冲击正向电流、总功耗、结温和储存温度。电气特性包括击穿电压、反向电流、正向电压等。
LINFINITY SG1626/SG2626/SG3626 数据手册 该文件介绍了SG1626/SG2626/SG3626产品的特点和特性，包括与其他型号的兼容性、输出能力、工作电压范围、上升和下降时间、传播延迟等。该产品采用高压肖特基逻辑将TTL信号转换为高速输出，适用于驱动功率MOSFET和其他大容性负载的高速切换。
lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册 IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。
CD TECHNOLOGIES NMD SERIES 数据手册 NMD系列DC-DC转换器适用于负载之间存在电势差的应用，如电机控制电路。双输出通过将两个DC-DC转换器合并到一个封装中，实现成本和空间的节省。只要总负载不超过1瓦特，就可以从单个输出中提取所有额定功率。
IMP IMP5121 DATA SHEET IMP5121 是高性能的 SCSI 终端器，它采用低电压 BiCMOS 架构，能够提供比传统无源和有源技术更高的性能。IMP5121 具有 35MHz 的通道带宽，并且每个通道都采用高性能的适应性元件，从而提供最快的响应时间。IMP5121 还消除了早期终端器设计中需要的输出补偿电容。
infineon SEMH2 数据手册 SEMH2是一款NPN硅数字晶体管阵列，用于开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路。该晶体管具有两个（隔离）内部绝缘的晶体管，具有良好的匹配性，并且在一个封装中带有内置偏置电阻（R1=47kΩ，R2=47kΩ）。
nichicon ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS(1) 该文件介绍了CAT.8100V铝电解电容器RS系列的特点和特性。该系列比VS系列更紧凑、低调。符合RoHS指令。具有较低的漏电流、稳定的低温性能和耐久性。
FAIRCHILD ILC5061 数据手册 ILC5061是一款由Fairchild制造的3引脚SOT-23或SC70封装的开漏复位输出器件，具有±1%精确的复位检测，1µA的Iq和2mA的吸收电流能力。
Integrated Device Technology, Inc IDT74fst163213 Data Sheet IDT公司的产品特点包括：提供零延迟路径的总线开关，扩展商业温度范围为-40°C至+85°C，低开关导通电阻，TTL兼容的输入和输出电平，ESD保护等。
