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IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。