philips PBSS4240V 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4240V是一款低VCEsat和高电流能力的NPN晶体管，适用于电源管理和外围驱动应用。
philips PBSS4240T 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4240T是一款40V低VCEsat NPN晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和改进的器件可靠性等特点，可用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等。
philips PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册 PBSS4240DPN是菲利普半导体公司生产的一款NPN/PNP低VCEsat晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率等特点，广泛应用于电源管理和外围驱动等领域。
philips PBSS4230T 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4230T是一款NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电流能力IC和ICM、高效率、降低电路板要求和成本效益高的特点。
philips PBSS4160T 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 本文档介绍了PBSS4160T型号的特点和特性，该型号是一种60V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。
philips PBSS4140V 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 这是一款低Vcesat NPN 晶体管，其特点是功耗小、封装小巧、电流能力强。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、供电线开关电路和电池驱动设备（如手机、摄像机和掌上设备）。
philips PBSS3540M 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS3540M型号的40V、0.5A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点特性，包括低饱和压降、高集电极电流能力、高效率以及减少印刷电路板要求等。适用于电源管理和外围驱动等应用。
philips PBSS4120T 20 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4120T是一款20V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。它具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat、高的集电极电流能力IC和ICM、高效率、减少热量产生和降低印刷电路板要求的特点。它是MOSFET在特定应用中的经济有效替代品。适用于电源管理、外围驱动等领域。
philips PBSS4130T 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4130T是一款30V、1A的NPN低Vcesat(BISS)晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压Vcesat、高集电流能力Ic和ICM、高效率、低发热、印刷电路板要求低、是特定应用中MOSFET的成本效益替代品。
philips PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册 该数据手册介绍了PBSS4140DPN低Vcesat NPN/PNP晶体管的特点特性，产品特点包括600 mW的总功耗、低集电-发射饱和电压、高电流能力等。
philips PBSS4140S 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 pbss4140s是飞利浦推出的一款低vcesat npn晶体管，具有高功耗、超低集电极-发射极饱和电压、1a连续电流、高电流开关等特点，广泛应用于中等功率开关和静音、线性稳压器、dc/dc转换器、lcd背光、电源线开关电路等领域。
philips PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4140T是一款低Vcesat的NPN型晶体管，具有低发热量、高电流能力和可靠性。它广泛用于开关、静音、LCD背光、电源线切换电路以及手机、摄像机等各种便携设备。
philips PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS4140U型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和压降、高电流能力、减少热量产生和改善器件可靠性等。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD背光、电源线开关电路以及电池驱动设备（手机、摄像机和手持设备）。
philips PBSS3540F 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS3540F是一款40V低Vcesat PNP晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、平导线改进的热行为和优于SOT23通用晶体管的性能。
philips PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS3515VS型号的15V低VCEsat PNP双晶体管的特点和特性，包括300 mW总功耗、超薄封装、低饱和压降、高电流能力等。
