philips PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5320T是一款20V、3A的PNP低VCEsat(BISS)晶体管，具有低发热率、高效率、高电流等特点。适用于电源管理、低功耗DC/DC转换器、供电线路切换、电池充电器等应用。
philips PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档是关于PBSS5250X 50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的数据表。该晶体管具有低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量产生和减少印刷电路板需求等特点。适用于功率管理和外围驱动等应用。
philips PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS5250T型号的50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量生成和减少印刷电路板需求等。该晶体管适用于电源管理、外围驱动等应用。
philips PBSS5240Y 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240Y是PHILIPS生产的一款低Vcesat PNP管，具有低饱和压降、高电流能力、改进的器件可靠性和增强的性能等特点，可应用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等
philips PBSS5240V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240V是一款低Vcesat PNP晶体管，具有高电流能力和高效率，可用于电源管理和周边驱动等应用。
philips PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5240T 是 Philips Semiconductors 公司的 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 。产品特点是低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量产生提高了器件的可靠性。可应用于供电线路开关电路、电池管理应用、DC/DC 转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）中。
philips PBSS5230T 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS5230T型号的30V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、高效率、减少热量生成以及在特定应用中作为MOSFET的经济有效替代品等。
philips PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5160T是一款60V、1A的PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有低饱和电压和高效率等特性，适用于汽车、电信基础设施和工业等领域的功率管理和外围驱动应用。
飞利浦 PBSS5160DS 数据手册 PBSS5160DS是一款60V、1A PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电极电流能力、高集电极电流增益（hFE）和高效率等特点。
philips PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5140V 是飞利浦推出的一款低 VCEsat PNP 晶体管，最大功耗为 300 mW，封装尺寸为 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、电源线开关电路等应用场景。
philips PBSS5140U 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS5140U 40 V低VCEsat PNP晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量生成、在SOT323（SC-70）塑料封装中的PNP低VCEsat晶体管。
philips PBSS5140T 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5140T是飞利浦半导体推出的一种低Vcesat PNP晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和低发热的特点。该晶体管可用于通用开关和静音、LCD背光、电源线开关电路等应用。
philips PBSS5140S 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5140S是飞利浦公司的一款低压饱和电压PNP晶体管，具有高功耗（830毫瓦）、超低集电极-发射极饱和电压、1安连续电流、高电流开关等特点。
