lnternational IOR Rectifier IR210SG12HCB 数据手册(1) IR210SG12HCB 是国际整流器公司生产的210 平方毫米的晶闸管，该晶闸管额定反向击穿电压为1200V，最大导通电压为1.5V，最大触发电流为60 mA，最大触发电压为1.9V，最大保持电流范围为10至125 mA，最大锁存电流为200 mA。
lnternational IOR Rectifier IR2301(S) & (PbF) HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR2301(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压和低压参考输出通道。专有的HVIC和latch immune CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。
lnternational IOR Rectifier IR2106(4)(S)HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR21093是IR公司推出的一款高压高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道设计，可用于开关电源、逆变器和其他应用中。
lnternational IOR Rectifier IR2109(4) (S)HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 该文件介绍了一种典型的半桥驱动器，具有浮动通道、正负偏移电源、低电流上升速率、防止交叉导通等特点。
lnternational IOR Rectifier IR2108(4) (S) 数据手册 IR2108(4)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器具有低驱动器电流，可实现快速翻转和低电压关断。
International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1) 该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。
International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1) IR2106(4)(S) 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入兼容 3.3V、5V 和 15V，为电路板布局提供了灵活性。
International IOR Rectifier IR2104(S) & (PbF) 数据手册 PD60046-S是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。最大工作电压可达600V，耐负冲击电压，具有关断锁定、低压锁定功能，支持3.3V、5V和15V逻辑输入。
International IOR Rectifier IR2103(S) 数据手册 该文档介绍了IR2103(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，如浮动通道设计、可用于引导操作、抗负向瞬态电压、逻辑兼容性等。
International IOR Rectifier IR2101(S) IR2102(S) 数据手册(1) IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁定免疫CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器，用于最小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。
