PNP BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors 数据手册(1) 该文件介绍了BC 807W / BC 808W型号的通用PNP表面贴装晶体管的特点和特性，包括安装方式、电气参数、尺寸、包装形式等。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册(1) BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 是一种理想的用于自动插入的 PNP 表面贴装晶体管，具有平面层叠晶片结构，可用于开关、AF 驱动器和放大器应用。该晶体管具有可补充的 NPN 型号（BC817），符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册 BC807-16/-25/-40是一种PNP表面贴装晶体管，适用于自动插入、开关、AF驱动和放大器应用。它具有理想的插入特性和结构，采用外延平面晶片结构。BC807-16/-25/-40有三种型号，分别是BC807-16、BC807-25和BC807-40。
FAIRCHILD BC807/BC808 说明书 BC807/BC808是一种PNP外延硅晶体管，适用于AF驱动级和低功率输出级。其特点包括：集电极-发射极耐压为-45V至-25V，发射极-基极耐压为-5V，最大集电极电流为-800mA，最大集电极功耗为310mW等。
ON Semiconductor MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN) 数据手册 MJW21195/D是onsemi的一款优先产品，它采用了穿孔发射器技术，专门设计用于高功率音频输出、磁头定位器和线性应用。MJW21195/D具有以下特点：总谐波失真特性、高直流电流增益-hFE=20 Min@IC=8 Adc、优异的增益线性度、高SOA：2.25 A，80 V，1秒。
ON Semiconductor MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN) 数据手册 MJW21193和MJW21194采用了穿孔发射极技术，专为高功率音频输出、磁盘磁头位置器和线性应用而设计。具有低谐波失真、高直流电流增益、优秀的增益线性和高SOA特性。
ON Semiconductor MJW18020 数据手册 MJW18020是一款平面高压功率晶体管，专为电机控制应用、高功率电源和UPS设计，其直流和开关参数的高可重复性最小化了桥接配置中的死区时间。主要特点包括：高和优异的增益线性度、快速和非常紧密的开关时间参数tsi和tfi、由平面结构引起的非常稳定的漏电流、高可靠性。
MOTOROLA MJW16212* 数据手册 MJW16212是摩托罗拉的新型双极功率晶体管，具有1500伏的集电极-发射极击穿能力、典型的动态去饱和特性、特定应用的先进芯片设计、快速开关特性(200ns的感应下降时间和2000ns的感应存储时间)、低饱和电压(0.15伏，5.5安培集电极电流和2.5安培基极驱动)、低集电极-发射极泄漏电流(250微安，1500伏集电极-发射极电压)、高发射极-基极击穿能力(8.0伏，用于高压关断驱动电路)
MOTOROLA MJW16110*/MJW16110* 数据手册 MJ16110/MJW16110是Motorola推出的一款双极功率晶体管，其最大集电极-发射极持续电压为400V，最大集电极-发射极击穿电压为650V。该晶体管专为半桥和全桥离线变换器而设计，具有良好的动态饱和特性和坚固的RBSOA能力。
