PHILIPS BC817DPN NPN/PNP general purpose transistor 数据手册 BC817DPN是NPN/PNP通用晶体管，具有高电流（500mA）和600mW的总功耗，可替代两个SOT23封装晶体管在同一PCB区域使用。
BC817-16LT1, BC817-25LT1, BC817-40LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon 数据手册(1) 该文档介绍了Motorola的小信号晶体管、场效应管和二极管的最大额定值、热特性和电气特性。
BC817W/BC818W General Purpose Transistors 数据手册 BC 817W / BC 818W 是 NPN 表面贴装 Si-Epitaxial PlanarTransistors，其最大功耗为 225 mW，封装为 SOT-323。
Infineon BC817W/BC818W 说明书 BC817W, BC818W是NPN硅中频晶体管，适用于一般的中频应用，具有高收集器电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。与其互补型号为BC807W、BC808W（PNP）。
BC817-16LT1, BC817-25LT1, BC817-40LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon 数据手册 BC817-16LT/D BC817-25LT1, BC817-40LT1是NPN硅通用晶体管，具有Pb-Free封装。该文件提供了该晶体管的最大额定值、热特性、封装尺寸、引脚排列和订购信息
LRC General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 该数据表格提供了BC817-16LT1、BC817-25LT1和BC817-40LT1这三款产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息
General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 本文件为BC817-16LT1的数据手册，主要介绍了该产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息。
MCC BC817-16 THRU BC817-40 数据手册 BC817-16是MCC的NPN小信号晶体管，具有最高45V的集电极-发射极电压、5V的发射极-基极电压、800mA的集电极电流、1000mA的峰值集电极电流、1000mA的峰值发射极电流和310mW的功耗。
ZETEX BC817 说明书 该文档介绍了SOT23封装的NPN硅平面中功率晶体管的规格和特性。该晶体管具有多种型号，如BC81716、BC81725和BC81740，是其互补型号BC807的一部分。它们具有较高的最大工作温度和电流承载能力，适用于各种电路应用。
NPN BC 817 / BC 818 General Purpose Transistors 数据手册 BC 817 / BC 818 是德国西门子公司生产的通用用途三极管，集电极极电流为 800 mA，发射极极电流为 200 mA，其特点是功耗小，功率损耗为 310 mW，封装类型为 SOT-23 塑料外壳。
Infineon PNP Silicon AF Transistors BC807W, BC808W 数据手册 BC807W, BC808W是英飞凌的PNP硅AF晶体管，用于一般AF应用，具有高集电极电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压。
Infineon PNP Silicon Transistor Array BC807U 数据手册 BC807U 是一款 PNP 硅晶体管阵列，用于 AF 输入级和驱动应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压以及良好匹配的两个（隔离）内部晶体管
AUK BC807F PNP Silicon Transistor 数据手册 KST-2085-000 1 BC807F是一款PNP硅晶体管，适用于高电流应用和开关应用。特点是适用于AF驱动级和低功率输出级，与BC817F互补配对。
philips BC807DS PNP general purpose double transistor 数据手册 该文件介绍了BC807DS产品的特点和特性，包括高电流、总功率耗散、替代两个SOT23封装的晶体管等。
BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 General Purpose Transistors 数据手册 该数据表提供了BC807-16LT1的最大额定值、热特性、器件标记、电气特性等信息。
