工业器械 - 第1977页

IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术实现了坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降低至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。从此电阻中还派生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。开漏故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，专为最小化驱动器交叉导通而设计。传播延迟匹配，简化在高频率下使用。浮动通道设计用于自举操作，完全可操作到+600V，耐受负瞬态电压，dv/dt免疫。门驱动电源范围为10至20V。所有通道均具有欠压锁定功能。过流关断可关闭所有六个驱动器。独立的半桥驱动器。所有通道都具有匹配的传播延迟。与输入相位相反的输出。交叉导通防止逻辑。可提供无铅版本。

IR2128是一款高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其具有浮动通道、耐负向瞬态电压、10至20V的门源电压范围、欠压锁定和5V施密特触发输入逻辑等特点。IR2128适用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

该文件介绍了IR2127/IR2128/IR21271(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性。该驱动器具有浮动通道，适用于引导操作，完全适用于+600V，对负传输电压具有抗扰动能力。具有应用特定的门极驱动范围，适用于电机驱动和汽车应用。支持欠压锁存功能，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑，故障引线指示发生了关机。输出与输入同相（IR2127/IR21271），输出与输入反相（IR2128）。具有电流感应和单通道驱动特性。

1

IR2125Z是IR公司生产的一款高压高频功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过电流限制保护电路。该产品具有以下特点：浮动通道设计，可实现引导操作；完全可操作至+400V；耐负瞬态电压；dV/dt免疫；门驱动电源范围为12至18V；欠压锁定；电流检测和限制环路可限制驱动功率晶体管的电流；故障指示引脚指示故障条件并编程关断时间；输出与输入同相。

1

IR2125是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过流限制保护电路。它具有浮动通道，适用于引导电路操作，并且完全适用于+500V电压。它还具有负向瞬变电压容忍和dV/dt免疫特性。该驱动器具有12至18V的门极驱动电源范围，欠压锁定功能，以及用于限制驱动功率晶体管电流的电流检测和限制回路。故障情况下的错误引导指示故障条件并编程关机时间。输出与输入同相。

IR2121是一款高性能的功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过电流限制保护电路。

IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。它具有浮动通道设计，适用于引导操作，工作电压可达到+600V，抗负压瞬变，具有10到20V的门极驱动电源范围，具有欠压锁定、CMOS斯密特触发输入和输出与输入同相或反相等特点。

IR2118是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的交叉导通。浮动通道可用于在高侧或低侧配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道、宽电压范围的门极驱动电源、欠压锁定等特点。

IR2117是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器阶段，设计用于最小交叉导通。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧或低侧配置中，工作电压可达600伏。

IR2114/21141/2214/IR22141 半桥门驱动器 IC 是一款高性能、高可靠的 1200V 绝缘型 600V 栅极驱动器，采用 8 脚 SOT-223 封装。该驱动器具有浮动通道、软过流关断、同步关断、内置饱和检测电路、两级转换开启输出、独立的拉/下输出驱动引脚、匹配的延迟输出和带滞后带的欠压锁定功能。

IR2113L6是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。

该文件介绍了IR2113E6高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，包括浮动通道设计、从10到20V的门极驱动电源范围、正负偏移的逻辑和电源地、CMOS施密特触发输入等。