工业器械 - 第1976页

A3209Ex和A3210Ex集成电路是超灵敏、无极性Hall效应开关，带有锁存数字输出。它们特别适合用于电池供电的手持设备，如蜂窝电话和无绳电话、寻呼机和掌上电脑。2.5伏到3.5伏的操作和一种独特的计时方案，以减少平均操作功耗——A3209Ex到400µW，A3210Ex到25µW! 除了工作占空比和平均工作电流之外，A3209Ex和A3210Ex是相同的。与其他Hall效应开关不同，足够强的北极或南极可以使输出开启;在没有磁场的情况下，输出关闭。极性独立性和最低功耗要求使这些器件可以很容易地替换簧片开关，具有更高的可靠性和易于制造，同时消除了对信号调节的要求。通过斩波稳定(动态偏移消除)提高稳定性，可减少由器件过模、温度依赖性和热应力通常引起的残余偏压电压。这些器件在单个硅芯片上包括一个霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、锁存器和MOSFET输出。先进的BiCMOS处理技术用于利用低电压和低功耗要求、元器件匹配、非常低的输入偏移误差和小的元器件几何尺寸。A3209Ex和A3210Ex采用DIP-8或SMD-8封装。

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A32100DX-1PQ208C is a product of Infineon Technologies.

A3209Ex和A3210Ex集成电路是超敏感的、与极性无关的霍尔效应开关，具有锁定的数字输出。它们特别适用于电池操作的手持设备，如手机、无线电话、传呼机和掌上电脑。2.5伏至3.5伏的操作电压和独特的时钟方案可降低平均操作功耗要求- A3209Ex为400微瓦，A3210Ex为25微瓦！除了操作占空比和平均操作电流之外，A3209Ex和A3210Ex完全相同。与其他霍尔效应开关不同，足够强度的南极或北极都能打开输出；在没有磁场的情况下，输出关闭。极性独立和最小功耗要求使得这些器件能够轻松替代簧片开关，具有更高的可靠性和制造便利性，同时消除了信号调理的要求。通过斩波稳定（动态偏移抵消），可以实现改进的稳定性，从而减少了通常由于器件过模制造、温度依赖性和热应力引起的残余偏移电压。这些器件在单个硅芯片上包括霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、锁存器和MOSFET输出。采用先进的双极性CMOS加工技术，以利用低电压和低功耗要求、器件匹配、非常低输入偏移误差和小型器件几何结构。

IR2136/IR21362/IR21363是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。

IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/ IR21366/IR21367/IR21368(J&S) 是高电压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，带有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于 3 相应用。专有的 HVIC 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入是 3.3 V 兼容的。3 个独立的半桥驱动器具有匹配的传播延迟。交叉导通防止逻辑使低侧输出与输入相位相反。高侧输出与输入相反 (IR2136/IR21363/IR21365/ IR21366/IR21367/IR21368) 或与输入同相 (IR21362)。低 di/dt 门驱动器可提供更好的噪声免疫性。外部可编程延迟可用于自动故障清除。

该文件介绍了一种典型的三相桥式驱动器，具有浮动通道设计，适用于引导操作。驱动器具有600V的工作电压和抗负向瞬态电压能力。具有10-20V（IR2136/IR21368）、11.5-20V（IR21362）或12-20V（IR21363/IR21365/IR21366/IR21367）的门极驱动电源范围。所有通道都具有欠压锁定功能和过流关闭功能。驱动器具有独立的三个半桥驱动器，具有匹配的传播延迟和防止交叉导通逻辑。低侧输出与输入不同相位，高侧输出与输入在不同相位（IR2136/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368）或相位相同（IR21362）。驱动器与3.3V逻辑兼容，具有较低的di/dt门极驱动器以提供更好的抗干扰性能。还可以通过外部编程延迟来实现自动故障清除。

IR2133/IR2135(J&S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。具有浮动通道，可进行引导电路操作，完全适用于+600V或+1200V，耐负向瞬态电压的影响。具有10V/12V至20V直流的门极驱动电源范围，瞬态时可高达25V。所有通道均具有欠压锁定功能。过流关闭将关闭所有六个驱动器。所有通道的传播延迟相匹配。2.5V逻辑兼容。输出与输入不同相。

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有3个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。

该产品是一款高压、高速度的电源MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高、低侧参考输出通道。

IR2131(J)(S)是IR公司推出的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术使其具有坚固的单片集成电路结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可支持2.5V逻辑。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的过流跳闸功能。为定制关断功能提供了关断输入。提供一个开漏故障信号，以指示任何关断已发生。输出驱动器具有专门设计的用于最小化驱动器交叉导通的高脉冲电流缓冲级。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

该数据手册提供了IR2131的详细信息，它是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。该器件采用专有的HVIC技术，具有坚固的单片集成结构。逻辑输入与5V CMOS或LSTTL输出兼容。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。还提供了一个自定义关断功能的关断输入。还提供了一个开漏故障信号，以指示发生了任何关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，这些MOSFET或IGBT的操作电压可达600伏。

IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的HVIC技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，一个接地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。该电阻还衍生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。一个开漏故障信号指示是否发生了过电流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以最小化驱动器交叉导通。

IR2130/IR2132(J)(S) 是一款高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，可降至 2.5V 逻辑。一个接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥接电流的模拟反馈。电流跳闸功能也来自该电阻，可终止所有六个输出。打开的漏极故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。

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