FAIRCHILD BSR15 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR15是一款PNP型的通用放大器，适用于需要最大集电极电流为500mA的放大器和开关。它的主要特点是集电极-发射极电压为-40V，集电极-基极电压为-60V，发射极-基极电压为-5.0V。该产品适用于工作温度范围为-55℃至+150℃。
FAIRCHILD BSR16 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BSR16是一种PNP外延硅晶体管，具有负载电流高达500mA的通用放大器和开关功能。它适用于各种应用，提供稳定的性能和可靠性。
FAIRCHILD BSR17A NPN General Purpose Amplifier 数据手册 该文件介绍了BSR17A型号的NPN通用放大器和开关的特点。作为开关时，其动态范围可达到100mA；作为放大器时，其动态范围可达到100MHz。
FAIRCHILD BSR18A PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR18A是FAIRCHILD公司生产的PNP型通用放大器，最大集电极-发射极电压40V，集电极-发射极击穿电压40V，集电极-基极击穿电压40V，发射极-基极电压5.0V，最大集电流200mA，最大功耗350mW。
FAIRCHILD BSS63 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 这是关于Fairchild BSS63 PNP General Purpose Amplifier的数据手册，它具有高电压的放大和开关应用。
FAIRCHILD BSS64 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 BSS64是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款NPN通用放大器，其特点是最大集电极-发射极电压为80V，最大集电极-基极电压为120V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电流为200mA，工作温度范围为-55到+150度C。
FAIRCHILD BSV52 NPN Switching Transistor 数据手册 该文件介绍了NPN开关晶体管BSV52的绝对最大额定值和热特性。该器件设计用于在集电极电流为10mA至100mA时进行高速饱和开关。具有12V的集电极-发射极电压，20V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。最大集电极电流为200mA。工作温度范围为-55到+150°C。
FAIRCHILD Single Channel MicroFET 3x2 Power MOSFET Recommended Land Pattern and Thermal Performance 数据手册 这份应用说明介绍了Fairchild MicroFET™ 3x2封装的引脚排列、安装布局和热性能。
FAIRCHILD Using Fairchild Semiconductor Dual Cool MOSFETs 数据手册 介绍了Fairchild Semiconductor Dual CoolTM MOSFETs的包装结构，热管理特性，以及使用散热器的应用实例。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for Asymmetric Dual Power33 Packaging 数据手册 该文件介绍了Fairchild Dual Power33封装的装配指南，该封装采用Molded Leadless Packaging（MLP）技术，具有低封装高度和出色的热性能，带有大型热垫，可直接焊接到印刷电路板（PWB）上。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
FAIRCHILD GreenBridge to Replace Conventional Diode Bridge in Power Over Ethernet Applications 数据手册 Fairchild 的 GreenBridge 解决方案可在 PoE 系统中降低桥接电路的功耗，从而获得高效且经济的 PoE 系统。
FAIRCHILD Guidelines for Using Fairchilds Power56 数据手册 该手册介绍了Power56 MOSFET的使用方法，包括安装技术和电路设计，该MOSFET具有小型化、高性能、低功耗的特点
