FAIRCHILD BCV71 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 BCV71是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款二极管，其特性包括：最大集电极-发射极电压为60V，最大集电极-基极电压为80V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电极电流为500mA，工作和存储温度范围为-55~+150°C。
FAIRCHILD BCW61A/B/C/D PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BCW61A/B/C/D 是FAIRCHILD的产品，是一款PNP 型号的电晶体，最大功率为350mW，最大电压为-32V，最大电流为-100mA
FAIRCHILD BCW66G NPN General Purpose Amplifier 数据手册 BCW66G 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一种 NPN 晶体管。其最大集电极电流为 1 A，最大集电极-发射极电压为 45 V，最大集电极-基极电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 5 V。
FAIRCHILD BCW71 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 该文件介绍了BCW71 NPN通用放大器的绝对最大额定值、热特性和电气特性。该器件适用于最大集电流为300mA的通用放大器应用。
FAIRCHILD BCW89 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BCW89是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种三极管，它的绝对最大额定值为-60V，额定电流为-500mA，工作温度为-55°C~150°C。
FAIRCHILD BCX19 NPN Medium Power Transistor 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的BCX19 NPN中功率晶体管的绝对最大额定值、电气特性和热特性。该晶体管设计用于一般用途放大器。
FAIRCHILD BCX70G NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BCX70G是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极反向电压为45V，最大集电极-基极反向电压为45V，最大发射极-基极反向电压为5V，最大集电极电流为200mA，最大集电极功耗为350mW，存储温度范围为-55°C至150°C。
FAIRCHILD BCX70H NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册(1) BCX70H是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，其最大集电极电压为45V，最大集电极-发射极电压为45V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极电流为200mA，最大集电极功耗为350mW，储存温度为-55至150摄氏度。
FAIRCHILD BCX70H NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册(1) BCX70J是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN型硅晶体管，其最大绝对额定值为VCBO=45V、VCEO=45V、VEBO=5V、IC=200mA、PC=350mW、TSTG=-55~150°C。
FAIRCHILD BCX70K NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BCX70K是一款NPN外延硅晶体管，具有45V的集电极-基极电压，5V的发射极-基极电压，200mA的集电流和350mW的集电功率耗散。该晶体管具有高的IC和hFE值，低的饱和电压和开启电压，以及较低的噪声系数和输出电容。
FAIRCHILD BCX71K PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BCX71K 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 PNP 通用放大器。
