FAIRCHILD USB10H 数据手册 这份文档介绍了USB10H MOSFET产品的细节。它是一款双通道P-Channel MOSFET，工作电压为2.5V。该产品采用了Fairchild Semiconductor的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，适用于需要小尺寸的高功率应用。特点包括-1.9A的最大漏极电流，-20V的最大漏源电压，低门电荷和快速开关速度。
FAIRCHILD USB100 数据手册 USB100是FAIRCHILD公司生产的一款USB HID类的低成本点击设备控制器，该控制器符合USB 1.0标准，可用于鼠标、轨迹球、摇杆和游戏手柄等设备
Micro commercial components USB0803C THRU USB0824C 数据手册 USB08XXC是安森美半导体的一种二极管，适用于保护TTL、CMOS DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC微处理器、UNIVERSAL SERIAL BUS（USB）和I/O收发器等敏感电路。它具有极低的电容和漏电率，可在板级提供静电保护，并防止其他电压冲击损坏或干扰敏感电路。
Micro commercial components USB0803 THRU USB0824 数据手册 USB08XX系列产品是一款适用于USB总线的TVS阵列，可保护USB和I/O收发器免受静电放电和其他感应电压尖峰的影响。该系列产品具有500瓦的峰值功率额定值，可为应用提供高可靠性的保护。
microsemi USB0803C thru USB0824C TVSarray Series 数据手册 MSC0323A是美信科技生产的一种电压抑制器，它可以为TTL、CMOS DRAM’s、SRAM’s、HCMOS、HSIC微处理器、UNIVERSAL SERIAL BUS (USB)和I/O收发器等敏感电路提供保护。
ST DB-960-90W 数据手册 DB-960-90W是一种N-通道增强型侧向场效应射频功率放大器，用于GSM/GPRS/EDGE基站应用。它具有卓越的热稳定性，工作频率范围为925-960 MHz，最小输出功率为90 W，增益为13 dB。放大器尺寸为80 mm x 50 mm x 10 mm。
ST DB-960-70W 数据手册 该文件介绍了DB-960-70W产品，它是一款用于GSM和E-GSM基站应用的N-通道增强型侧向场效应射频功率放大器。该产品具有出色的热稳定性、共源配置、925-960 MHz范围内的最小70W输出功率和13dB的增益，以及10:1的负载失配能力。
ST DB-915-12W 数据手册 DB-915-12W是一款常用源N沟道增强型侧向场效应射频功率放大器，设计用于GSM-R应用。它具有高增益、宽带性能，可在12V下工作，并能承受多达10:1的负载失配，谐波低于30dBc。
ST DB-900-80W 数据手册 该文件介绍了DB-900-80W RF功放器件的特性和性能。该器件采用N沟道增强型侧向MOSFET技术，适用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有优异的热稳定性，工作频率范围为869-894 MHz，最大输出功率为80W，增益为13dB。该器件还具有10:1负载驻波比能力和低于30dBc的谐波水平。
ST DB-900-60W 数据手册 DB-900-60W是一款N通道增强型侧向场效应射频功率放大器，设计用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有高增益和宽频带性能，工作在26V的公共源模式下，能够承受10:1的负载失配，并且谐波低于30dBc。
ST DB-900-100W 数据手册 DB-900-100W是一款常用源N沟道增强型侧向场效应射频功率放大器，设计用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有高增益和宽带性能，在26V的常用源模式下工作，能够承受10:1的负载失配，并且谐波低于30dBc。
