Tigertronics SignaLink USB 安装操作手册 SignaLink USB结合了SL-1+的传奇性能和先进的低噪声内置声卡。它具有优化的性能，简化的安装和操作，以及在同一台计算机上轻松运行多个接口的能力。
intersil RF3V49092, RF3S49092SM 数据手册 RF3V49092, RF3S49092SM是一种20A/10A, 12V的逻辑电平互补功率MOSFET，采用先进的MegaFET工艺制造。它具有优异的性能，适用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用。该产品能够在3V到5V的门极偏置下实现额定导通，从而直接从逻辑电平(5V)集成电路实现真正的开关电源控制。
Numonyx Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) 32WQ and 64WQ Family with Asynchronous RAM Datasheet 该数据表提供了Numonyx™ Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) 32WQ和64WQ系列产品的技术特点，包括闪存密度、异步PSRAM密度、电压、封装、PSRAM性能、SRAM性能、质量和可靠性、闪存性能、闪存架构等。
International Rectifier IRF3808S/IRF3808L 数据手册 IRF3808S / IRF3808L是IRF公司针对汽车应用设计的一款高性能MOS管，具有极低的导通电阻、高可靠性和快速开关特性
RF RF3805 GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER 数据手册(1) RF3805是一款针对无线基础设施应用而设计的高性能双级放大器。它采用可靠的GaAs HBT工艺，实现了在广泛的频率范围内高输出功率。该放大器还通过采用具有热增强表面贴装AlN封装来提供优异的效率和热稳定性。通过优化的评估板设计，实现了易于集成。
RF RF3805 GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER 数据手册 RF3805是一款专为无线基础设施应用而设计的高性能双级放大器。采用可靠的GaAs HBT制造工艺，该放大器在广泛的频率范围内实现高输出功率。RF3805放大器还通过使用热增强表面贴装AlN封装提供了出色的效率和热稳定性。通过采用优化的评估板设计来实现正确的50Ω操作，实现了易于集成。
RF RF3800 GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER 数据手册(1) RF3800 GaAs HBT Pre-Driver Amplifier是用于450MHz基站放大器的前置驱动器，具有6W输出功率，高线性度，45%的功率增益效率，热增强型封装，宽带平台设计方法。
RF RF3800 GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER 数据手册 该产品是一款450MHz的基站前置放大器，采用GaAs HBT工艺制作，具有6W的输出功率，45%的功率增益效率，良好的线性度和热稳定性。
RF RF3404 DUAL-BAND/TRI-MODE CDMA LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER MODULE 数据手册 RF3404是一个全功能、集成的双频段下变频模块，用于三模CDMA应用。该模块采用SiGe技术，具有两个完整的RF下变频器，低噪声放大器，RF SAW滤波器，TX LO缓冲器以及适用于PCS和蜂窝频段的RF匹配。此外，集成了除以2的预分频器，以便使用单频段VCO。可选择多种增益控制选项，以满足电流要求和IS-98B规范。混频器设计允许CDMA蜂窝和PCS操作共用一个IF滤波器，并提供第二个输出用于FM输出。IF匹配在模块外部进行。
intersil IRF340 数据手册 该文档介绍了IRF340这款N沟道功率MOSFET的特点和特性。它具有10A、400V的额定值，0.550Ω的导通电阻，单脉冲耐受能力高，开关速度快，输入阻抗高，适用于开关电源、电机驱动、继电器驱动等应用。
RFMD RF3397 数据手册 RF3397是RF Micro Devices公司生产的一种低成本、通用的RF放大器芯片。该芯片采用了GaAs HBT工艺，具有50欧姆的输入输出阻抗，适用于频率高达6000MHz的无线语音和数据通信产品中。
RF MICRO.DEVICES RF3394 数据手册 RF3394是RF Micro Devices公司生产的一种低成本、通用型RF功放IC，采用GaAs HBT工艺制造，应用于基站、宽带低噪声增益块、IF或RF缓冲放大器、驱动功放等场景。
RFMD RF3377 数据手册 RF3377是一款通用低成本的射频放大器，适用于基站应用、宽带低噪声增益模块、IF或RF缓冲放大器、功率放大器的驱动级和低功率应用的终端PA。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，设计成易于级联的50Ω增益模块。应用包括在频段高达6000MHz的无线语音和数据通信产品中的IF和RF放大。该器件具有50Ω输入和输出阻抗，只需要两个外部直流偏置元件即可按规定运行。
