ST STGW12NB60H 数据手册 STGW12NB60H是一款N沟道12A-600V TO-247 PowerMESH IGBT，具有高输入阻抗、低开通电压降、低门电荷、高电流能力和非常高的频率操作特性。
ST STGP7NB60HD/STGP7NB60HDFP 数据手册 STGP7NB60HD和STGP7NB60HDFP是基于专利条带布局的最新高压技术设计的先进系列IGBT，具有优异的性能。它们具有高输入阻抗、低导通电压降（Vcesat）、低门电荷、高电流能力、非常高的频率运行能力和尾电流等优点。
ST STGP7NB120SD 数据手册 STGP7NB120SD是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N通道7A-1200V的功率电子器件，采用TO-220封装。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低关断损耗和高电流处理能力。适用于电机控制、照明调光等应用场合。
ST STGP3NB60HD/STGP3NB60HDFP 数据手册 STGP3NB60HD是STMicroelectronics公司推出的一款N沟道3A-600V的IGBT，采用了最新的高压技术，具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力、高频率操作、关断损耗包含尾电流等特点。
ST STGP3NB60H 数据手册 STGP3NB60H 是STMicroelectronics生产的一款N沟道3A-600V TO-220 PowerMESH IGBT，具有高输入阻抗、低开通压降、低门极电荷、高电流能力、高频率运行和开关损耗小等特点。该器件适用于高频电机控制、SMPS和PFC等应用场景。
ST STGP20NC60V/STGW20NC60V 数据手册 STGP20NC60V和STGW20NC60V是ST公司的一款N沟道600V IGBT，该器件采用PowerMESH™技术，具有高频率、高转换效率、低导通损耗等特点，可广泛应用于高频逆变器、SMPS和PFC等领域。
ST STGP12NB60K 数据手册 STGP12NB60K 是ST公司生产的一款N-沟道IGBT，其最大集电极-发射极电压为600V，最大集电极-发射极电压压降为2.8V，最大集电流为18A，最大关断电流为60A，工作频率最高可达50kHz
ST STGP12NB60HD 数据手册 STGP12NB60HD是一款N沟道12A - 600V TO-220 PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低关断损耗、低门极电荷、高电流容量、高频操作和并联与反向并联二极管。
ST STGP12NB60H 数据手册 STGP12NB60H是STMicroelectronics公司生产的一款12A-600V的N-CHANNEL IGBT。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力和高频率工作等特点，主要用于高频率电机控制、SMPS和PFC等应用。
ST STGP10NB60SDFP 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics设计的一款先进的IGBT产品，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和尾电流等特点。产品适用于灯光调节器、静态继电器和电机控制等应用领域。
ST STGP10NB60S 数据手册 STGP10NB60S是一款N沟道MOSFET，额定电压为600V，最大电流为10A，封装类型为TO-220。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和低关断损耗等特点，适用于灯光调光、静态继电器和电机控制等应用。
