ST 1N6640U 数据手册 1N6640U 0.3 A - 75 V 是 ST 公司的一款开关二极管，它具有表面贴装的密封包装、高导热材料、非常小的导通损耗、微不足道的开关损耗、极快的开关速度、低的正向电压降等特点。
ST 1N6642U 数据手册 1N6642U 是ST的航天级开关二极管，具有高导热材料、非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低的正向压降、150krad(Si)低剂量率、3Mrad高剂量率的目标辐射资格、0.12g包装重量等特点。
ST HCC40xxx, HCC45xxx 数据手册 HCC40xxx HCC45xxx系列是高压CMOS逻辑系列，具有3至20V的最大工作电压、缓冲的输入和输出、标准化的对称输出特性、50ns的典型传播延迟、100nA的最大25°C输入电流、100%测试的20V静态电流、5-10-15V的参数测试、密封包装、100kRad TID的辐射硬度、72MeV/cm²/mg LET离子的SEL-SEU免疫和ESCC认证。
ST STPS40100HR 数据手册 STPS40100HR是ST公司生产的一款航空航天级肖特基整流器，其最大正向电流为2x20A，最大反向峰值电压为100V，低正向压降为0.9V，最大结温为175℃，具有可忽略的开关损耗、低电容、高反向雪崩浪涌能力和密封封装，通过ESCC5000航空航天产品规范认证，适用于航空航天及其他恶劣环境的应用。
ST M54HCxxx, M54HCTxxx 数据手册 本文档介绍了M54HCxxx和M54HCTxxx系列产品的特点和特性。这些产品是高速CMOS功能，专为满足航空航天行业的辐射要求而设计。它们具有辐射硬度、单事件锁存 (SEL) 免疫性和封装在密封包装中的特点，非常适合在最恶劣的环境条件下使用。
ST BYV52HR 数据手册 该文件介绍了BYV52HR Aerospace 30 A - 200 V快速恢复整流器的特点和特性，包括非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、高浪涌电流能力、高雪崩能量能力等。该产品适用于中压、高频开关模式电源、高频DC-DC转换器和其他航空航天应用。
ST STRH100N10 数据手册 STRH100N10 是 STMicroelectronics 生产的一款 100 V、48 A 的 N 沟道功率 MOSFET。该 MOSFET 具有快速开关、100% 雪崩测试、高可靠性等特点。
ST 2N2484HR 数据手册 2N2484HR是ST公司的一种硅平面外延NPN晶体管，专为航空航天高可靠性应用而设计，采用防潮罐封装。该晶体管符合ESCC 5000资格标准，并根据ESCC 5201-001规范获得ESCC认证。
ST BYW81HR 数据手册 BYW81HR Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier is a high surge current capability, high avalanche energy capability, hermetic packages, and ESCC qualified rectifier.
ST 54AC164245 数据手册 这是一个关于生产中的产品的信息。该产品是一个16位收发器，支持双向电平转换，工作电压范围为3.3V至5V。具有分离的使能引脚和施密特触发输入/输出。适用于5V总线和3.3V总线之间的接口，具有高速操作和低功耗。
ST STRH40N6 数据手册 STRH40N6 Rad-Hard P-channel 60 V, 30 A Power MOSFET Datasheet，该产品特点包括快速开关、100% 雪崩测试、真空封装、70 krad TID、SEE 辐射硬化、卫星、高可靠性
