ST M74HC244 OCTAL BUS BUFFER WITH 3 STATE OUTPUTS (NON INVERTED) 数据手册 74HC244是高性能CMOS八路缓冲器（三态输出），由硅门C2MOS技术制造。G控制输入控制四个缓冲器。该器件设计用于与3态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备有防静电放电和瞬态过电压保护电路。
ST M74HC161 SYNCHRONOUS PRESETTABLE 4-BIT COUNTER 数据手册 该文件介绍了M74HC161高速CMOS同步4位可预置二进制计数器的特点。它具有高噪声抗扰能力、低功耗、宽工作电压范围等特性。
ST M74HC126 QUAD BUS BUFFER (3-STATE) 数据手册 M74HC126是高速度CMOS四缓冲器（三态）器件，采用硅栅C2MOS工艺制造。该器件需要将3-STATE控制输入G设置为高电平以将输出置于高阻抗状态。所有输入都配备有保护电路，以防止静电放电和瞬态过电压。
ST 74V1G77 SINGLE D-TYPE LATCH 数据手册 该文件介绍了74V1G77型号产品的特点和特性。该产品是一款高速CMOS单D型锁存器，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它能在2V至5.5V的工作电压范围内正常工作，非常适合便携应用。该锁存器由锁存使能输入(LE)控制，当LE输入为高电平时，Q输出将精确地跟随数据输入。当LE输入为低电平时，Q输出将锁存为D输入数据的逻辑电平。该产品具有输入的断电保护功能，输入端可以接受0至7V的电压，不受供电电压的限制。它可以用于5V至3V之间的接口转换。该产品具有ESD抗干扰和瞬态过电压保护电路，具有良好的静电放电免疫能力。
ST 74LVC573A OCTAL D-TYPE LATCH HIGH PERFORMANCE 数据手册 74LVC573A是低压CMOS八位D型锁存器，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于1.65至3.6 VCC操作和低功耗和低噪声应用。这些8位D型锁存器由锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)控制。当LE输入保持在高电平时，Q输出将精确或反向跟随数据输入。当LE被拉低时，Q输出将精确或反向地保持在D输入数据的逻辑电平。当(OE)输入低时，8个输出将处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)，而高电平时输出将处于高阻状态。该器件设计用于直接接口高速CMOS系统与TTL和NMOS组件。它在3.3V时具有比5V AC/ACT系列更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入都配备了保护电路。
ST 74VHC594 8 BIT SHIFT REGISTER WITH OUTPUT REGISTER 数据手册 74VHC594是一款高速度CMOS 8位移位寄存器，采用亚微米硅栅C2MOS技术制造。该器件包含一个8位串入并出移位寄存器，该移位寄存器馈入一个8位D型存储寄存器。为移位寄存器和存储寄存器分别提供单独的时钟和直接覆盖清除（SCLR，RCLR）。为级联目的提供了串行（QH'）输出。移位寄存器和存储寄存器均采用正触发边沿时钟。如果时钟连接在一起，则移位寄存器状态将始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。所有输入均提供掉电保护，并且输入可接受0至7V，而无需考虑电源电压。该器件可用于5V到3V接口。所有输入均配备了防静电放电保护电路，使其具有2KV ESD抗扰度和瞬态过压。
ST 74V1G79 SINGLE POSITIVE EDGE TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP 数据手册 74v1g79是高速度cmos单触发d型触发器，工作电压范围为2-5.5v，可应用于便携式设备。该触发器受时钟控制，时钟信号上升沿触发Q输出状态，可在保持时间内更改D输入数据而不影响Q输出。该器件具备输入上电保护和输入静电放电保护功能，可应用于5v到3v系统。
ST M74HC4053 TRIPLE 2-CHANNEL ANALOG MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER 数据手册 M74HC4053是具有硅栅C2MOS技术的三重两通道模拟复用器/解复用器，它与等效的金属栅CMOS4000B系列兼容。
ST M74HC4052 DUAL 4-CHANNEL ANALOG MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER 数据手册 该文件介绍了M74HC4052双四通道模拟多路复用器/解复用器的特点和特性，包括低功耗、逻辑电平转换、低通阻、宽输入电压范围、快速切换等。
ST M74HC368 HEX BUS BUFFER WITH 3 STATE OUTPUT INVERTING 数据手册 M74HC368 是一种高速度 CMOS HEX BUS 缓冲器，具有 3 态输出，采用硅栅 C2MOS 技术制造。该器件包含六个缓冲器，其中四个缓冲器由启用输入 (G1) 控制，而另外两个缓冲器由另一个启用输入 (G2) 控制；当 G1 和/或 G2 输入保持低电平时，每个缓冲器组的输出均启用，而当保持高电平时，这些输出处于高阻态。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
ST 74LVC245A 数据手册 74LVC245A是一款低压CMOS八路总线收发器(3状态)，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合1.65到3.6伏特的工作，并且低功耗和低噪声的应用。该IC用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入决定。使能输入G可用于禁用设备，使总线有效隔离。它在3.3V时具有比5V AC/ACT系列更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入都配备了防止静电放电的保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过压。高Z态下所有浮动总线端子必须保持高或低。
ST 74LVC244A 数据手册 74LVC244A是一款低压CMOS八路总线缓冲器，具有3态功能，使用了亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合1.65至3.6伏VCC操作和低功耗和低噪声应用。它可以接口到5V信号环境，用于混合3.3/5V系统中的输入。G控制输出控制四个总线缓冲器。该器件设计用于与3态存储器地址驱动器等一起使用。它在3.3V时具有比5V AC/ACT系列更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。
ST 74LVC125A 数据手册 该文件介绍了74LVC125A低压CMOS四路总线缓冲器的特点和特性。它适用于1.65到3.6V的电压操作，适用于低功耗和低噪声应用。它可以与5V信号环境进行接口，用于混合3.3 / 5V系统的输入。该器件需要将相同的3态控制输入G提高到高电平，以使输出进入高阻抗状态。它在3.3V时具有比5V AC / ACT系列更高的速度性能，并具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了静电放电保护电路，使它们具有2KV的ESD抗干扰能力和瞬态过电压。
