工业器械 - 第1104页

ST HCF4052B 数据手册

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ST HCF4556B 数据手册

HCF4556B是双1比4译码器/解复用器，它在DIP和SOP封装中采用金属氧化物半导体工艺制造。每个解码器有两个选择输入（A和B），一个使能输入（E），以及四个互斥输出。在HCF4556B上，输出在选择时为低。当使能输入高时，输出将高而不考虑选择输入A和B的状态。

ST HCF4040B 数据手册

HCF4040B是霍尼韦尔公司的一款12位二进制计数器/除法器，其工作电压范围为5V、10V和15V，工作频率为80ns，具有完全静态操作、标准化对称输出特性、输入泄漏电流为100nA（最大值）、100%测试的静态电流等特点。

ST HCF4020B 数据手册

HCF4020B是集成电路，采用金属氧化物半导体技术，提供DIP和SOP封装。HCF4020B是一系列14位移位计，可作为可编程计数器或分频器使用。

ST HCF4010 数据手册

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ST M74HCT4053 数据手册

该文档介绍了M74HCT4053产品的特点特性，包括低功耗、逻辑电平转换、低开通电阻、宽输入电压范围、快速切换等。

ST M74HCT652 数据手册

该文档介绍了一种高速CMOS八线总线转换器和寄存器，具有低功耗、兼容TTL输出等特点。

ST M74HCT640 数据手册

M74HCT640是74HCT640的替代产品，采用C2MOS工艺制造，具有高速度和低功耗特性。该器件是用于数据总线之间双向异步通信的八路总线收发器。DIR输入确定数据传输方向。G输入可以用来禁用器件，使总线有效地隔离。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。

ST M74HCT574 数据手册

M74HCT574是高性能CMOS八位D型翻转锁存器，带有3状态输出，具有反相功能。

ST HCF4025B 数据手册

HCF4025B是霍尼韦尔（Honeywell）公司生产的一款集成电路，采用金属氧化物半导体（MOS）工艺制造，有DIP和SOP两种封装形式。该芯片具有3个输入和2个输出，是霍尼韦尔公司推出的NOR逻辑门系列产品之一。

ST HCF4001B 数据手册

HCF4001B QUAD 2-INPUT NOR GATE是霍尼韦尔半导体公司生产的一款集成电路，采用金属氧化物半导体技术，提供DIP和SOP两种封装，所有输入和输出都经过缓冲。

ST M74HC534 数据手册

该文档介绍了一款高速CMOS八位D型触发器，具有三态输出反向功能。产品采用硅门C2MOS技术制造，具有高速、低功耗、抗干扰等特点。

ST M74HC533 数据手册

M74HC533是高速度CMOS八路锁存器，具有3态输出。

ST M74HC191 数据手册

M74HC191是一款高性能CMOS 4位同步上/下计数器，采用硅栅C2MOS技术制造。计数器的状态变化与时钟脉冲输入的低到高转换同步。异步并行加载输入覆盖计数，并将数据输入引脚上的数据加载到触发器中，这使得可以将电路用作可编程计数器。计数使能输入可用作多级计数器中的进位/借位输入。控制输入Down/Up确定电路是向上计数还是向下计数。MAX/MIN输出和Ripple Clock输出提供溢出/下溢指示，并使多级计数器应用中产生进位/借位信号的各种方法成为可能。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。

ST 74LVX594 LOW VOLTAGE CMOS 8 BIT SHIFT REGISTER WITH OUTPUT REGISTER (5V TOLERANT INPUTS) 数据手册

74LVX594是一款低压CMOS 8位移位寄存器，具有输出寄存器，采用亚微米硅栅极和双层金属线路C2MOS技术制造。它是低功耗、电池供电和低噪声3.3V应用的理想选择。该器件包含一个8位串行输入、并行输出移位寄存器，该移位寄存器为8位D型存储寄存器提供数据。为移位寄存器和存储寄存器分别提供独立的时钟和直接覆盖清除（SCLR、RCLR）。为级联目的提供了串行（QH’）输出。移位寄存器和存储寄存器都使用正沿触发时钟。如果将时钟连接在一起，则移位寄存器的状态将始终比存储寄存器领先一个时钟脉冲。所有输入端都提供掉电保护，输入端可以接受0至7V电压，而不考虑电源电压。此器件可用于5V到3V系统的接口。它结合了高速度性能和真正的低功耗，适用于各种应用。