DIODES

DIODES SD101A - SD101C 数据手册

SD101A - SD101C是肖特基二极管，具有低压降、瞬态保护、低恢复时间和低反向电容的特点

DIODES 1N4933/L - 1N4937/L 数据手册

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DIODES 1N4001/L - 1N4007/L 数据手册

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DIODES 1N4001G/L - 1N4007G/L 数据手册(1)

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DIODES 1N4001G/L - 1N4007G/L 数据手册

1N4001G/L-1N4007G/L 1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER 是一款玻璃钝化二极管，具有高电流能力和低正向压降。其最大反向重复电压为50V，最大工作反向电压为100V，直流阻断电压为50V。该二极管的封装方式为DO-41和A-405，采用亮锡电镀，满足RoHS要求。

DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1)

2N7002W 是 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门限电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。

DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1)

该文件介绍了2N7002W N-沟道增强型场效应晶体管的特点，包括低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度等。

DIODES 6A05 - 6A10 6.0A SILICON RECTIFIER 说明书

该文件是6A05 - 6A10 6.0A 硅整流器的数据手册。

DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书

2N7002V/VA 是双 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、超小表面贴装封装和无铅设计/ RoHS 兼容等特点。

DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书

2N7002V/VA是双N通道增强型场效应晶体管，具有低开关电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装等特点

DIODES 2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书

2N7002T是N通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电、超小表面贴装封装等特点。

DIODES 2N7002DW 数据手册

2N7002DW是一种双N通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄露等特点。

DIODES 2N7002-01 数据手册

2N7002-01是N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度和低输入/输出泄漏。

DIODES MMSTA92 数据手册

MMSTA92是PNP小信号表面贴装晶体管，其特点是采用平面晶片构造、有相应的NPN型号MMSTA42，非常适合中等功率放大和开关电路，采用超小表面贴装封装。

DIODES MMSTA63/MMSTA64 数据手册

MMSTA63/MMSTA64是PNP表面贴装达林顿晶体管，具有高电流增益、超小表面贴装封装、适用于中功率放大和开关等应用。