MITSUBISHI FU-653SEA-x2MyyF 1.55 μm EAM/DFB-LD MODULE WITH SINGLEMODE FIBER PIGTAIL FU-653SEA-x2MyyF 1.55μm EAM/DFB-LD 模块，带单模光纤引线。该模块适用于 10Gb/s 数字光通信系统中作为光源使用。
MITSUBISHI M66850J/FP, M66851J/FP M66852J/FP, M66853J/FP SRAM TYPE FIFO MEMORY M66850J/FP,M66851J/FP,M66852J/FP,M66853J/FP是三菱生产的高速同步FIFO(First-In,First-Out)存储器，适用于网络和通信等数据缓存。
MITSUBISHI 7470/7471 Group DATA SHEET 本文档介绍了Mitsubishi Microcomputers的7470/7471系列单片机的特点。它们采用CMOS硅门技术，适用于商业设备和消费类应用。这些单片机具有简单的指令集和相同的存储器映射，便于编程。
MITSUBISHI DIODE MODULES RM60DZ/CZ-M,-H MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE RM60DZ/CZ-M,-H是三菱电机生产的一款中功率通用绝缘型二极管模块，其平均正向电流为60A，重复峰值反向电压为400/800V。
MITSUBISHI MICROCOMPUTERS 7560 Group SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER 7560系列是基于740家族核心技术的8位微型计算机，具有LCD驱动控制电路、8通道A/D/D/A转换器、UART和PWM作为附加功能。7560系列的各种微型计算机包括内部存储器大小和封装的变化。详情请参阅零件编号部分。有关7560系列微型计算机的可用性详情，请参阅组扩展部分。
MITSUBISHI (OPTICAL DEVICES) FU-68SDF-V802MxxB 1.55 mm DFB-LD MODULE WITH SINGLEMODE FIBER PIGTAIL (WAVELENGTH SELECTED, BIAS CIRCUIT INTEGRATED, DIGITAL APPLICATION) FU-68SDF-V802MxxB 1.55mm DFB-LD模块采用单模光纤尾纤，是用于2.5Gb/s数字光通信系统的直接调制光源。
MITSUBISHI LASER DIODES ML9XX31 SERIES InGaAsP DFB-LASER DIODE WITH EA MODULATOR ML9XX31系列是三菱（Mitsubishi）生产的DFB（分布反馈）激光二极管与单片集成的EA调制器，适用于10Gbps或2.5Gbps应用（单通道/DWDM），可提供1530nm到1565nm波长，间隔0.8nm。ML9SM31采用芯片载体封装。
MITSUBISHI ML9XX11,ML9XX16,ML9XX22 SERIES Data Sheet ML9XX11, ML9XX16 和 ML9XX22 系列是 DFB (Distributed Feedback) 激光二极管，发射波长为 1470 至 1610 纳米的光束。它们非常适合粗波分复用 (Coarse WDM) 的长距离数字传输应用中的光源。它们是密封的设备，带有光电二极管用于光输出监控。
MITSUBISHI M5M5256DP,FP,VP,RV -45LL,-55LL,-70LL, -45XL,-55XL,-70XL Data Sheet 这份文档介绍了MITSUBISHI LSIs 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM的特点和特性。该产品是一个262,144位CMOS静态RAM，采用高性能3多晶硅CMOS技术制造，具有高密度和低功耗静态RAM的优点。它适用于需要简单接口的存储系统，尤其是M5M5256DVP和M5M5256DRV两种型号，方便设计印刷电路板。
MITSUBISHI LSIs M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR -55H, -70H, -55X, -70X 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM Mitsubishi LSIs M5M51008CP, FP, VP, RV, KV, KR -55H, -70H, -55X, -70X 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM是Mitsubishi Electric制造的一种低功耗的CMOS静态RAM。它具有1048576位容量，131072字节×8位组织，采用高性能四倍多晶硅和双金属CMOS技术制造。薄膜晶体管（TFT）负载单元和CMOS外围电路使其具有高密度和低功耗。该芯片具有低待机电流和低工作电流，非常适合电池备份应用。它采用32针薄小外形封装，是高可靠性和高密度表面贴装器件（SMD）。
MITSUBISHI LSIs M5M467405/465405BJ,BTP -5,-6,-5S,-6S M5M467805/465805BJ,BTP -5,-6,-5S,-6S M5M465165BJ,BTP -5,-6,-5S,-6S Datasheet 该文件介绍了三种MITSUBISHI ELECTRIC的动态RAM产品，包括EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM、EDO MODE 67108864-BIT (8388608-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM和EDO MODE 67108864-BIT (4194304-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM。这些产品具有低功耗、低电压供应、自刷新功能等特点。
