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KEC SMAB36 数据手册

SMAB36是一种低功耗、高效率的肖特基二极管，适用于低压、高频逆变器、自由轮、极性保护等应用。

该文档介绍了SMAB33硅基二极管的技术数据和特性。它是一种开关型电源应用的肖特基障壁型二极管，具有低功率损耗、高效率、低电压、高频率逆变器、自由轮和极性保护应用等特点。

SMAB210 是肖特基二极管，具有低功耗和高效率的特点，适用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。

该文件介绍了SMAB16肖特基势垒型二极管的特点和特性，适用于低电压、高频率逆变器、自由轮和极性保护应用。

该文件介绍了SMAB14型号的肖特基势垒二极管的特点和特性，包括低功耗、高效率、适用于低压、高频率逆变器、自由轮、极性保护等应用。

SMAB13是肖特基二极管，特点是低功耗、高效，适用于低压、高频逆变器、自由轮转和极性保护应用。

SMAB110是肖特基二极管，低功耗，高效率，适用于低压高频逆变器、空转和极性保护应用

TIP117F是日本三菱电机公司生产的一款PNP型三极管，该管具有高电流增益（hFE=1000）和低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)=-2.5V）的特点，可用于工业用途。

该文档介绍了TIP117半导体技术数据，包括其特点和特性，如高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。该产品是一种具有内置基-发射极分流电阻的PNP晶体管，适用于工业用途。

TIP112F是三洋公司生产的一种NPN型管子，其最大电流为2A，最大电压为100V，具有高电流增益和低饱和电压的特点。

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E35A21VPS, E35A21VPR STACK SILICON DIFFUSED DIODE，平均正向电流35A，齐纳电压21V

2N7000A是N通道增强型场效应晶体管，具有低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于接口和开关应用。

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