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international IOR rectifier IR2111(S) & (PbF) 数据手册

IR2111(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖高、低侧参考输出通道，专为半桥应用而设计。

international IOR rectifier IR2111 HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册

IR2111是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，带有依赖于高侧和低侧参考输出通道的半桥应用设计。

international IOR rectifier IR2110L6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册

IR2110L6是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。它采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，具有坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏特。

international IOR rectifier IR2110E6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册

该数据表描述了IR2110E6高低侧驱动器的特性。该驱动器支持+600V的浮动通道设计，能够在负瞬态电压下正常工作，并且具有dV/dt免疫功能。其门极驱动电源范围为10至20V，具有欠压锁定功能。逻辑电源范围为5至20V，逻辑和电源地之间的电压偏差为±5V。该驱动器具有CMOS Schmitt触发输入和下拉电阻，具有逐周期边沿触发关断逻辑，并且两个通道之间的传播延迟相匹配，输出与输入同步。

International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1)

该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。

International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1)

IR2106(4)(S) 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入兼容 3.3V、5V 和 15V，为电路板布局提供了灵活性。

International IOR Rectifier IR2105 数据手册

IR2105是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高、低侧参考输出通道。

International IOR Rectifier IR2104(S) 数据手册

该数据表提供了IR2104(s)的详细信息，包括其功能特点、应用场景、引脚配置等。

International IOR Rectifier IR2104(S) & (PbF) 数据手册

PD60046-S是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。最大工作电压可达600V，耐负冲击电压，具有关断锁定、低压锁定功能，支持3.3V、5V和15V逻辑输入。

International IOR Rectifier IR2103(S) 数据手册

该文档介绍了IR2103(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，如浮动通道设计、可用于引导操作、抗负向瞬态电压、逻辑兼容性等。

International IOR Rectifier IR2101(S) IR2102(S) 数据手册(1)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁定免疫CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器，用于最小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。

International IOR Rectifier IR2086S 数据手册

IR2086S是一款自激振荡全桥控制器和驱动器IC，50%占空比，特别适合36V-75V全桥DC电源转换器。

International IOR Rectifier IR2101/IR21014/IR2102/IR21024 数据手册

IR2101/IR21014/IR2102/IR21024是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

International IOR Rectifier IR2101(S) IR2102(S) 数据手册

IR2101/IR2102 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可降至 3.3V 逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其高侧配置可运行至 600 伏。

International IOR Rectifier IR2085S & (PbF) 数据手册

该文档介绍了IR2085S型号的高速、100V、自振荡50%占空比、半桥驱动器的特点和特性。该产品适用于48V分布式系统中的半桥直流母线变换器，可减少零部件数量和板面空间。该产品具有集成的50%占空比振荡器和半桥驱动器，单个SO-8封装。每个通道最大可编程开关频率为500kHz。驱动电流能力为+/-1.0A，适用于低电荷MOSFET。可调节的死区时间为50纳秒至200纳秒。浮动通道设计可实现最高+100Vdc的启动电路。高低侧脉冲宽度匹配精度+/-25纳秒。具有可调节的过流保护、欠压锁定和内部软启动功能。