INCHANGE

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1407

2SD1407是固电半导体生产的一款功率晶体管，其主要特点是：高击穿电压、低发射极饱和电压。适用于功率放大器应用。

Inchange Semiconductor 2SC3181N Data Sheet

1

Inchange Semiconductor 2SC1004 说明书

该文档介绍了Inchange Semiconductor的2SC1004硅NPN功率晶体管的产品规格和特性。该晶体管采用TO-3封装，具有高击穿电压。适用于彩色电视接收机的水平偏转输出级。主要特点包括：集电极-基极击穿电压为1100V，集电极-发射极击穿电压为700V，发射极-基极击穿电压为5V，最大集电流为0.5A，最大功耗为50W，工作温度范围为-55℃至150℃等。

INCHANGE Semiconductor STP75NF75 说明书

该文件介绍了INCHANGE Semiconductor公司的isc N-Channel MOSFET晶体管STP75NF75的特性和特点，包括最大漏极电流、漏极源极电压、静态漏源电阻等。该晶体管适用于高效率、高频率隔离的DC-DC转换器，可用于电信和计算机应用。同时，它还适用于低门极驱动要求的任何应用。

INCHANGE Semiconductor TIP132 说明书

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP132 is a high DC current gain and low collector-emitter saturation voltage transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications.

INCHANGE Semiconductor TIP130 说明书

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP130是isc公司推出的一款大功率管，具有高电流增益、低集电极-发射极压降等特点，适用于一般用途放大器和低速开关应用

Inchange Semiconductor TIP125/126/127 说明书

固电半导体 TIP125/126/127 产品规格书，包含产品的类型、特点和参数等信息。

Inchange Semiconductor TIP125/126/127 Silicon PNP Darlington Power Transistors(1)(1)

固电半导体 Inchange Semiconductor 提供 TIP125/126/127 硅 PNP 达林顿功率晶体管，具有高 DC 电流增益、低集电极饱和电压，适用于通用放大器和低速开关应用。

Inchange Semiconductor TIP125/126/127 Silicon PNP Darlington Power Transistors(1)

1

Inchange Semiconductor TIP120/121/122 Silicon NPN Darlington Power Transistors

本文件为固电半导体生产的TIP120/121/122型号的硅NPN达林顿功率晶体管产品规格书。

INCHANGE LM317T DATA SHEET

该文件介绍了固电半导体的可调电压稳压器LM317T的特点和特性，包括TO-220封装、输出电压范围为1.2V到37V、输出电流超过1.5A等。