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G-LINK GLT41316 64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE 是一款 65,536 x 16 位高性能 CMOS 动态随机存取存储器。GLT41316 提供快速页面模式，并通过两个 WE 引脚提供字节写入和字写入访问周期。GLT41316 具有对称地址，并接受 4ms 间隔内的 256 个周期刷新。所有输入都是 TTL 兼容的。快速页面模式允许在页面内随机访问高达 256x16 位，周期时间短至 18ns。GLT41316 最适合需要高性能存储器的图形和 DSP 应用。

GLT41016 64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT 是 G-Link Technology Corporation 发布的一种高性能 CMOS 动态随机存取存储器。它具有 65,536 字节 x 16 位组织、快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读取 - 修改 - 写入、RAS - 仅限刷新、CAS - 前刷新、隐藏刷新和测试模式功能、256 刷新周期每 4ms、单 5.0V±10% 电源供应、所有输入和输出都兼容 TTL 以及扩展数据输出 (EDO) 页面模式操作。

GLT725608是一款高性能256K位静态随机存取存储器，组织为32K x 8位，并以单个5伏电源运行。使用G-Link Technology的非常先进的CMOS亚微米技术制造，GLT725608提供了一系列特性：非常高的速度和非常低的待机电流。此外，此设备还支持使用活动低电平芯片使能(CE)以及活动低电平输出使能(OE)和三态输出进行简单的存储器扩展。

GLT44016 256K x 16 是 G-Link 生产的一款高性能 CMOS 动态随机存取存储器，具有快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读/改/写、RAS 仅刷新、CAS 前刷新、隐藏刷新和测试模式能力、512 个刷新周期 / 8 毫秒，可在 40 针 400 毫米 SOJ 和 40/44 针 TSOP(II) 中使用，单 5.0V±10% 电源供应，所有输入和输出均与 TTL 兼容，支持扩展数据输出 (EDO) 页模式操作。

GLT41316是G-Link Technology Corporation生产的一款65,536 x 16位高性能CMOS动态随机存取存储器，具有快速页面模式，可以通过两个WE引脚进行字节写和字写访问周期，具有对称地址，接受4ms间隔的256周期刷新。所有输入均与TTL兼容。快速页面模式允许随机访问多达256x16位，在页面内，周期时间短至18ns。GLT41316最适合需要高性能存储器的图形和DSP应用。