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EIC RM11A - RM11C 数据手册

RM11A - RM11C SILICON RECTIFIER DIODES是RM11A系列的硅整流二极管，额定最大反向电压为600 - 1000伏，额定平均正向电流为1.2安培。该产品具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向压降等特点。

RM10 - RM10Z硅整流二极管具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向电压降等特性。

MR2540L 汽车瞬态抑制器是一款高功率、高可靠性的产品，具有24至32伏的雪崩电压和50安培的平均整流电流。

该文件是MR2540汽车瞬态抑制器的技术参数表，包括最大峰值重复反向电压、最大工作峰值反向电压、最大直流阻断电压、最大峰值反向冲击电流、最大非重复峰值冲击电流等参数

MR2535L是汽车瞬态抑制器，其特点是雪崩电压为24至32伏，高功率能力，并通过并联操作增加了容量。

MR2500L-MR2512L汽车整流二极管具有高电流能力，高浪涌电流能力，高可靠性，低反向电流和低正向电压降。

MR2500 - MR2512是汽车整流二极管，具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向电压降等特点。

ULCE系列是一种超低电容瞬态电压抑制器，其特点是具有1500W的峰值脉冲浪涌反向能力、优异的钳位能力、低的增量浪涌电阻和快速响应时间（通常小于5.0ns）。

SZ103D - SZ10D0是一种表面贴装硅稳压二极管，具有3.3-200伏特的完整电压范围，高峰值反向功率耗散，高可靠性，低泄漏电流等特点。

3EZ系列硅二极管，额定电压范围为3.9至400伏特，峰值反向功耗高，可靠性高，泄漏电流低

这是一款SZ153D - SZ15D0表面贴装硅二极管，其特点是电压范围为3.3至200伏，功耗为1瓦，具有高峰值反向功耗耗散、高可靠性和低漏电流。

CN18A - CN18M 是Nexperia生产的一种二极管，主要特点包括高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降和芯片形式等。

AR2500L - AR2510L是汽车整流二极管，特点为高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向压降。

BZX55C2V4 ~ BZX55C200 硅二极管 VZ : 2.4 - 200 伏 PD : 500 毫瓦

该文件介绍了SB320S - SB3B0S系列施肯二极管的特点和特性，包括高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、高效率、低功耗、低正向电压降。