ATMEL AT49BV160DT 数据手册 AT49BV160D(T)是16兆字节的闪存，具有32K字(64K字节)的扇区擦除架构，每个扇区有单独的写锁定。它具有快速的字写入时间(10微秒)和快速的扇区擦除时间(100毫秒)。该设备可以使用单个电源进行读取或重新编程，因此非常适合系统内编程。
ATMEL AT49BV320DT 数据手册 AT49BV320D(T)是一个2.7伏特的32兆位闪存，组织成2,097,152个16位字。内存分为71个扇区用于擦除操作。该器件采用48引脚TSOP封装和47球CBGA封装。该器件具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该器件可以使用单一电源进行读取或重新编程，使其非常适合在系统编程中使用。设备在读取模式下启动。命令序列用于将设备置于其他操作模式。
ATMEL AT49BV322DT 数据手册 AT49SV322D(T)是一款1.8伏特的32兆位闪存，具有单电压读/写操作，80纳秒的访问时间，63个32K字（64K字节）扇区和8个4K字（8K字节）扇区，支持快速字编程时间，低功耗操作等特点。
ATMEL AT49BV640ST 数据手册 AT49BV640S是Atmel公司生产的一款2.7伏32兆字节的闪存存储器，组织为4,194,304个16位字，内存被分为135个扇区用于擦除操作。该设备采用64球CBGA封装，具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该设备可以读取或重新编程
Atmel AT29 Flash Memories 说明书 Atmel的Flash存储器具有可编程可擦除只读存储器的特点，采用先进的亚微米工艺和高效的存储单元来存储数据。它使用Fowler-Nordheim隧道效应进行擦除和编程，需要较低的编程电流，并且支持扇区编程。与第一代Flash存储器相比，它具有更简单的硬件实现和更灵活简单的编程命令。
