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Atmel的Flash存储器具有可编程可擦除只读存储器的特点，采用先进的亚微米工艺和高效的存储单元来存储数据。它使用Fowler-Nordheim隧道效应进行擦除和编程，需要较低的编程电流，并且支持扇区编程。与第一代Flash存储器相比，它具有更简单的硬件实现和更灵活简单的编程命令。