ASI VFT45-28 数据手册 VFT80-28是N通道增强模式VHF功率MOSFET，设计用于175 MHz以下的通用B类功率放大应用。该器件具有PG = 10 dB典型值和30:1负载VSWR能力。
ASI UML1SL 数据手册 ASI UML1SL 是 Advanced Semiconductor Inc. 生产的一款 NPN 硅 RF 功率晶体管。其最大电流为 2.0 A，最大集电极-发射极反向电压为 45 V，最大发射极-集电极反向电压为 25 V，最大发射极-基极反向电压为 3.5 V。
ASI ULBM2 数据手册 这是一份关于ASI ULBM2的英文数据表，介绍了该产品的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVCBO、VEBO、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。
ASI ULBM2T NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该文件是关于ASI ULBM2T的技术数据表，介绍了该产品的特点特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功率等
ASI ULBM5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该文件是关于ASI ULBM5型号的产品说明书，介绍了其特点和特性，例如最大工作电流、最大工作电压、最大功耗等。
ASI ULBM10 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 ULBM10是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold金属化系统、最大电流IC为2.5A、最大集电极-发射极反向电压VCBO为36V、最大集电极-发射极开路电压VCEO为16V、最大集电极-发射极反向电压VCES为36V、最大发射极-基极反向电压VEBO为4.0V、最大功耗PDISS为58W，工作温度范围为TJ-65℃至+200℃、储存温度范围为TSTG-65℃至+150℃，热阻θθJC为7.0℃/W。
ASI ULBM35 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该数据表格是关于ASI ULBM35的规格参数，包括BVCEO IC、BVCES IC、BVEBO IE、ICES VCE、hFE VCE、Cob VCB、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等
