ASI ULBM10 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书

ULBM10是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管,具有Omnigold金属化系统、最大电流IC为2.5A、最大集电极-发射极反向电压VCBO为36V、最大集电极-发射极开路电压VCEO为16V、最大集电极-发射极反向电压VCES为36V、最大发射极-基极反向电压VEBO为4.0V、最大功耗PDISS为58W,工作温度范围为TJ-65℃至+200℃、储存温度范围为TSTG-65℃至+150℃,热阻θθJC为7.0℃/W。


品牌
ASI
文件格式
PDF
发布时间
2012年6月11日
更新时间
2023年10月1日
MD5 校验值
B59AE33C4BFD41DD739226F274F6B95C
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