ST M74HC368 HEX BUS BUFFER WITH 3 STATE OUTPUT INVERTING 数据手册 M74HC368 是一种高速度 CMOS HEX BUS 缓冲器，具有 3 态输出，采用硅栅 C2MOS 技术制造。该器件包含六个缓冲器，其中四个缓冲器由启用输入 (G1) 控制，而另外两个缓冲器由另一个启用输入 (G2) 控制；当 G1 和/或 G2 输入保持低电平时，每个缓冲器组的输出均启用，而当保持高电平时，这些输出处于高阻态。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
ST 74LVC245A 数据手册 74LVC245A是一款低压CMOS八路总线收发器(3状态)，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合1.65到3.6伏特的工作，并且低功耗和低噪声的应用。该IC用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入决定。使能输入G可用于禁用设备，使总线有效隔离。它在3.3V时具有比5V AC/ACT系列更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入都配备了防止静电放电的保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过压。高Z态下所有浮动总线端子必须保持高或低。
ST 74LVC244A 数据手册 74LVC244A是一款低压CMOS八路总线缓冲器，具有3态功能，使用了亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合1.65至3.6伏VCC操作和低功耗和低噪声应用。它可以接口到5V信号环境，用于混合3.3/5V系统中的输入。G控制输出控制四个总线缓冲器。该器件设计用于与3态存储器地址驱动器等一起使用。它在3.3V时具有比5V AC/ACT系列更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。
ST 74LVC125A 数据手册 该文件介绍了74LVC125A低压CMOS四路总线缓冲器的特点和特性。它适用于1.65到3.6V的电压操作，适用于低功耗和低噪声应用。它可以与5V信号环境进行接口，用于混合3.3 / 5V系统的输入。该器件需要将相同的3态控制输入G提高到高电平，以使输出进入高阻抗状态。它在3.3V时具有比5V AC / ACT系列更高的速度性能，并具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了静电放电保护电路，使它们具有2KV的ESD抗干扰能力和瞬态过电压。
ST 74LVC32A 数据手册 74LVC32A是低电压CMOS QUAD 2-输入OR门，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合1.65到3.6 VCC操作和低功耗和低噪声应用。它可以与5V信号环境接口，用于混合3.3/5V系统的输入。它在3.3V时具有更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了抗静电放电保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。
ST 74LVC08A 数据手册 74LVC08A是低压CMOS四路2输入与门，采用亚微米硅栅和双层金属线路C2MOS技术。它适用于1.65至3.6VCC操作和低功耗和低噪声应用。它可以接口到5V信号环境，用于混合3.3/5V系统中的输入。它在3.3V时比5V AC/ACT系列具有更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路，使它们具有2KV ESD免疫性和瞬态过压。
ST 74VHCT238A 数据手册 74VHCT238A是一款高速CMOS 3到8线译码器，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点，可用于5V到3V的接口。
ST 74LVX74 数据手册 74LVX74是一种低压CMOS双D型触发器，具有预置和清除非反向功能。它适用于低功耗、电池操作和低噪声3.3V应用。它具有高速性能和真正的CMOS低功耗结合。所有输入和输出都配备了静电放电保护电路，具有2KV ESD抗干扰和瞬态过电压。
