ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册(1) STP19N06L和STP19N06LFI是N通道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有0.085欧姆的典型RDS(on)，采用100%的AVALANCHE测试，适用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器等应用。
ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册 STP19N06和STP19N06FI是N沟道增强模式功率MOS晶体管，具有低导通电阻、高电流能力和175°C工作温度等特点。适用于高电流、高速开关、电磁阀和继电器驱动、调节器、直流-直流和直流-交流转换器、电机控制、音频放大器和汽车环境等应用。
ST STP190NF04/STB190NF04/STB190NF04-1 数据手册 STP190NF04 是STMicroelectronis公司的一款N沟道功率MOSFET，其典型RDS(on)=3.9 mΩ，最大电流120A，支持TO-220、D2PAK、I2PAK三种封装，应用于高电流、高开关速度和汽车领域。
ST STP17NK40Z/STP17NK40ZFP 数据手册 STP17NK40Z/STP17NK40ZFP是一款400V，0.23Ω，15A的N沟道MOSFET。它具有极低的RDS(on)，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，最小化的栅极电荷，非常低的内在电容和非常好的制造重复性。该系列产品可满足各种苛刻的应用需求。适用于高电流、高速度开关，是离线电源、适配器和PFC、照明等应用的理想选择。
ST STP16NS25/STP16NS25FP 数据手册 该文件介绍了STP16NS25和STP16NS25FP型号的N沟道MOSFET，具有250V的电压和0.23Ω的RDS (on)，适用于高电流、高速开关以及开关模式电源和DC-DC转换器等应用。
ST STP16NK65Z/STB16NK65Z-S 数据手册 该文件介绍了STP16NK65Z和STB16NK65Z-S两款N沟道650V MOSFET产品的特点和特性，包括低电阻、高dv/dt能力、100%雷电击穿测试、最小化栅极电荷、非常低的内在电容等。这些产品适用于高电流、高速开关和离线电源等应用。
ST STP16NK60Z/STB16NK60Z-S/STW16NK60Z 数据手册 该文件介绍了STP16NK60Z、STB16NK60Z-S和STW16NK60Z三款N沟道600V超MESH MOSFET产品的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、非常低的固有电容和很好的制造重复性。
ST STP16NF06L/STP16NF06LFP 数据手册 STP16NF06L, STP16NF06LFP是STMicroelectronis生产的N-CHANNEL 60V - 0.07 Ω - 16A TO-220/TO-220FP STripFET™ II POWER MOSFET，具有低RDS(on)，卓越的dv/dt能力，低门极充电，低阈值驱动
ST STP16NF06/STP16NF06FP 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics公司生产的STP16NF06 STP16NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.08 Ω - 16A TO-220/TO-220FP STripFET™ II POWER MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高逆变特性、低栅极电荷等。
ST STP16NE06L, STP16NE06L/FP 数据手册 STP16NE06L 是 STMicroelectronics 的一种 N 通道增强型单体特征尺寸 (Single Feature Size) 功率 MOSFET，其典型 RDS(on) 为 0.09 欧姆，具有 100% 的雪崩测试，最高工作温度为 175oC，具有高 dV/dt 能力。
ST STP16NE06/STP16NE06FP 数据手册 STP16NE06 STP16NE06FP N型60V-0.08Ω-16A-TO-220/TO-220FP STripFET功率MOSFET，具有低开通电阻、耐电击特性、高dV/dt能力等特点。适用于直流电机控制、直流-直流和直流-交流变换器、同步整流等应用。
ST STP16N10L 数据手册 STP16N10L是一种N沟道功率MOS晶体管，具有100V的漏源电压，0.14Ω的典型导通电阻，16A的漏极电流，适用于高电流、高速开关、功率电机控制、DC-DC和DC-AC转换器、同步整流等应用。
ST STP16CL596 数据手册 STP16CL596是ST公司的一款低压，低电流功率16位移位寄存器，可驱动LED面板显示器。其输出电流可调，可提供15-90mA的恒定电流，同时还支持16V的输出驱动能力，支持25MHz的高时钟频率。
