ST 说明书

L9380 是 ST 公司的一款三通道 N 沟道高侧开关驱动器，用于替代汽车电控单元中的继电器。

1

VND600SP是一种双通道高端固态继电器，具有DC短路电流25A，CMOS兼容输入，比例负载电流感应，欠压和过压关断，过压夹紧，热关断，电流限制，非常低的待机功耗，防止地线失效和VCC失效，反向电池保护等特点。

VN610SP是一款单通道高侧固态继电器，具有45A输出电流、CMOS兼容输入、负载电流比例感应、欠压和过压关断、过压钳位、热关断、电流限制、极低待机功耗、防断地和防VCC断开、反接电池保护等特点。

L9997ND是意法半导体公司生产的一款双半桥驱动器，适用于各种负载，包括直流电机。该芯片具有很低的待机电流，在欠压和过压条件下具有保护功能，并内置实时诊断功能。

1

1

该数据表介绍了L4953G的功能特性，包括3个输出：9.2V（500mA）、5V（1A）、5V（100mA）；2A高侧驱动器，带有夹紧输出（16V）；逻辑输出用于：电源欠压（LVW）、过压、热保护；复位功能；点火比较器；反向电池和负载丢失保护；热关断。

L9613是ST公司生产的带有标准ISO 9141兼容接口功能的集成电路。该产品具有很低的静态电流、宽的工作电压范围、可靠的防过压保护、良好的EMI抗扰性能等特点。

该数据手册介绍了 TDA7560 的特点特性，是一款用于高功率汽车收音机的 BCD（双极/ CMOS/ DMOS）技术 AB 类音频功率放大器。

该文件是关于VN750高侧驱动器的产品信息，介绍了该产品的特点和特性，包括CMOS兼容输入、开启状态开路负载检测、关闭状态开路负载检测、短路负载保护、欠压和过压关断、保护接地丢失、极低待机电流和反电池保护等。

本文件是关于VNP35N07FI VNB35N07/VNV35N07 ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET的资料，主要介绍了产品的技术特点，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低电流从输入引脚、诊断反馈通过输入引脚、ESD保护、直接访问电源MOSFET的栅极（模拟驱动）、兼容标准功率MOSFET等

The VNB49N04, VNV49N04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics™ VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

该数据手册详细介绍了 OMNIFET VNB14N04, VNK14N04FM 和 VNV14N04 的技术特性，包括封装形式、引脚排列、电气参数、封装尺寸、应用电路等。

该产品是一款由STMicroelectronics生产的MOSFET，具有低电阻和低电流限制，适用于DC到50KHz的应用。