ST VB526SP-E 数据手册 VB526SP-E是一款高压功率集成电路，采用STMicroelectronics™VIPower™M1-3技术，具有达林顿和逻辑电平兼容的垂直电流驱动电路。使能引脚允许在输入为ON时外部阻断开关。集成的电流限制和集电极电压钳位保护电路允许该器件用作先进电子点火系统中的智能、高压、高电流接口。如果来自微控制器的输入信号保持高电平，则该器件会通过强制集电极电流平滑降低（低电压钳位特性）来保护自己免受过热，以避免不必要的火花。
ST 74V2GU04 数据手册(1) 74V2GU04是高性能CMOS 三端反相器,采用了亚微米硅门双层金属布线C2MOS技术制造,内部电路由一个单级反相器,然后一个无缓冲输出组成,可用于模拟应用,如晶体振荡器.输入端提供电源下电保护,0至7V可被接受,无需考虑电源电压.该器件可用于5V至3V的接口.
ST L99PM60J 数据手册 L99PM60J是一款低功耗5V单电源管理IC，集成了5V低压差线性稳压器、2个高侧驱动器、2个低侧驱动器、LIN2.1收发器，以及窗口看门狗、可编程复位阈值、VS监测/温度测量等功能。
ST VB027SP-E 数据手册 VB027SP-E是一种高压点火线圈驱动功率集成电路，具有内部设置的主线圈电压和线圈电流限制，逻辑电平兼容输入，驱动电流几乎与集电极电流成比例，双标志线圈电流等特点。
ST VND5E008MY-E 数据手册(1) VND5E008MY-E是STMicroelectronics®专有的VIPower®M0-5技术制造的双通道高侧驱动器，采用PowerSSO-36封装。该器件设计用于驱动12 V汽车接地负载，并提供保护和诊断。它还实现了3 V和5 V CMOS兼容接口，可用于任何微控制器。该设备采用独特的多重保护功能，可防止过压、欠压、短路、过载和热关断。
ST VNS3NV04DP-E 数据手册 该文件介绍了VNS3NV04DP-E OMNIFET II全自动保护功率MOSFET的特点和特性。该产品具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹紧器等特点，并可通过输入引脚进行诊断反馈。
