SI S41C6105 S41LV16105 数据手册 本白皮书介绍了英特尔® 数据科学套件 4.0，这是该套件的最新版本，为数据科学家的生产环境提供了更强大、更灵活的功能。该套件包括一系列工具和库，可帮助数据科学家在整个数据科学生命周期中提高生产力。这些工具包括用于数据准备、机器学习建模、模型部署和模型管理的工具。英特尔® 数据科学套件 4.0 还包括新的功能，如自动机器学习、增强型模型解释和可视化、数据管理和治理功能以及对容器和 Kubernetes 的支持。
SI IC41C44002A/IC41C44002AS(L) IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L) 数据手册 IC41C44002A/IC41C44002AS(L) IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)是一款4Mx4位动态RAM，支持EDO页模式。该器件采用加速的周期访问，即EDO页模式。EDO页模式允许在一个行内进行2,048次随机访问，访问周期时间仅为每4位字20ns。这些特点使44002系列非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
SI IC41C4400x and IC41LV4400x Series 数据手册 IC41C4400x和IC41LV4400x系列是一种4Mx4位动态RAM，具有EDO页面模式和工业级零部件。它具有TTL兼容的输入和输出，刷新间隔为2,048周期/32毫秒或4,096周期/64毫秒。它支持RAS-Only、CAS-before-RAS (CBR)和Hidden刷新模式，适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围设备应用。
SI IS41C16256 IS41LV16256 数据手册 IS41C16256/IS41LV16256是ICSI公司推出的一款262,144 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。该产品采用加速周期访问方式EDO Page Mode，可在单行内进行512次随机访问，访问周期时间最短为10ns每16-bit字。上下两个字节的字节写控制使IS41C16256成为16、32-bit宽数据总线系统的理想选择。这些特性使IS41C16256/IS41LV16256非常适合用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
SI IS41C16100S IS41LV16100S 数据手册 本数据手册介绍了ICSI IS41C16100S和IS41LV16100S 1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。这些器件采用了加速的周期访问方式，称为EDO页模式。EDO页模式允许在单个行中进行1,024次随机访问，访问周期时间短至每16位字节20ns。上、下字节的字节写控制使IS41C16100S适合用于16、32位宽数据总线系统。这些特性使IS41C16100Sand IS41LV16100S非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
SI IC41C4405x and IC41LV4405x Series Data Sheet 该数据表提供了IC41C4405x和IC41LV4405x系列动态随机存储器的技术细节。该系列器件具有4Mx4位高性能CMOS动态随机存储器。该器件支持快速页模式，允许在单行内进行2048或4096次随机访问，每个4位字的访问周期时间最短为20ns。
