Numonyx Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) 32WQ and 64WQ Family with Asynchronous RAM Datasheet 该数据表提供了Numonyx™ Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) 32WQ和64WQ系列产品的技术特点，包括闪存密度、异步PSRAM密度、电压、封装、PSRAM性能、SRAM性能、质量和可靠性、闪存性能、闪存架构等。
Numonyx StrataFlash Cellular Memory (M18) 数据手册 本文件为Numonyx™ StrataFlash® Cellular Memory (M18) Datasheet的产品特性介绍，包括高性能读写擦除、架构、质量和可靠性、功耗等
NUMONYX M36L0T7050T2 M36L0T7050B2 128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 该文件介绍了M36L0T7050T2，M36L0T7050B2两款128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package的特性
NUMONYX M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 使用手册 该文档介绍了M29W160ET和M29W160EB型号的16 Mbit闪存的特点和特性。该闪存具有供电电压范围、存取时间、编程时间、存储块数量、编程/擦除控制器、解锁绕过编程命令、临时块解除保护模式、通用闪存接口、低功耗消耗、编程/擦除周期等特点。
NUMONYX M29W320DT M29W320DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 说明书 介绍了M29W320DT M29W320DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory的特点特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、VPP/WP引脚、临时块非保护模式、公共闪存接口、低功耗、100,000编程/擦除周期每块、电子签名等
NUMONYX M29W640FT/M29W640FB 说明书 M29W640FT M29W640FB 64 Mbit (8Mb x8 或 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 特征摘要
NUMONYX M29W320DT M29W320DB 说明书 该文档介绍了2008年3月发布的Rev 10版本的M29W320DT和M29W320DB型号的Flash存储器的特点和特性，包括供电电压范围、访问时间、编程时间、内存块数量、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、快速编程和写保护、低功耗、程序/擦除循环次数、电子签名等。
NUMONYX M25P10-A 1 Mbit, serial Flash memory, 50 MHz SPI bus interface 数据手册 M25P10-A是1Mbit的闪存存储器，具有2.3到3.6V单电源电压、50MHz时钟速率(最大)、深度电源下电模式1μA(典型)、JEDEC标准两字节签名(2011h)、RES指令、一字节签名(10h)、更多20多年的数据保留等特点
