该文件介绍了一种名为HUF75531SK8的6A、80V、0.030 Ohm、N-Channel、UltraFET Power MOSFET产品。该产品具有超低导通电阻,支持温度补偿的PSPICE和SABER电气模型以及Spice和SABER热阻模型。文件中还包含了该产品的封装符号、峰值电流与脉宽曲线和UIS评级曲线等信息。
这份文件介绍了HUF75333G3、HUF75333P3和HUF75333S3S这三款66A、55V、0.016 Ohm的N-Channel UltraFET Power MOSFETs。这些器件采用了创新的UltraFET™工艺制造,具有最低的导通电阻和出色的性能。它们能够在雪崩模式下承受高能量,二极管反向恢复时间和存储电荷非常低。这些器件适用于注重功率效率的应用,如开关稳压器、开关变换器、马达驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池驱动产品的电源管理。
这是一款60A,55V,0.019 Ohm,N-Channel UltraFET Power MOSFETs,采用创新的UltraFET™工艺制造,具有非常低的反向恢复时间和存储电荷,适用于功率效率要求很高的应用,如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理