GENERAL SEMICONDUCTOR UF5400 THRU UF5408 Data Sheet 该文档介绍了UF5400-UF5408系列超快高效塑料整流器产品的特点特性，包括反向电压、正向电流、反向恢复时间、正向电压、漏电、浪涌能力、高温焊接等。
GENERAL SEMICONDUCTOR RGP10A THRU RGP10M 数据手册 RGP10A THRU RGP10M 玻璃钝化结快换开关二极管 反向电压为 50 至 1000 伏，正向电流为 1.0 安培
GENERAL SEMICONDUCTOR LCE6.5 THRU LCE28A SERIES Data Sheet LCE6.5至LCE28A系列是一种低电容的TransZorb™瞬态电压抑制器。其特点包括：塑料封装具有UL 94V-0防火等级、玻璃钝化结界、1500W峰值脉冲功率能力、优异的压制能力、低的浪涌电阻、快速响应时间、适用于数据线应用等。
GENERAL SEMICONDUCTOR RGP25A THRU RGP25M Data Sheet RGP25A到RGP25M是玻璃钝化结构的快速开关整流器，反向电压范围为50至1000伏特，正向电流为2.5安培。该产品具有高温度冶金键合结构、玻璃钝化无腔结构、无热失控的2.5安培工作、低反向漏电流、快速开关以实现高效率等特点。
GENERAL SEMICONDUCTOR BZX79 SERIES Data Sheet BZX79系列硅平面齐纳二极管，特点是齐纳电压按国际E24标准分档，提供±2%、±3%和±5%的容差，可根据要求提供更高的齐纳电压和1%的容差。
GENERAL SEMICONDUCTOR BZX84 Series 数据手册 该文件介绍了9/28/00特性、硅平面功率稳压二极管、国际E 24标准下的Zener电压分级、标准Zener电压公差、其他封装样式和配置以及最大额定值和热特性。
GENERAL SEMICONDUCTOR P6KA6.8 THRU P6KA43A Data Sheet P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。
General purpose transistor (isolated transistors) EMD30 说明书 EMD30是罗姆推出的双管数字开关，具有高耐压、低阻抗和低功耗等特点，可广泛应用于DC/DC转换器、电机驱动等领域。
General purpose transistor (isolated transistors) EMD38 说明书 EMD38 是 ROHM 推出的一款数字晶体管，采用 EMT6 封装，集成 DTr1、DTr2 两个独立的 NPN 和 PNP 晶体管，可应用于驱动电路。
General purpose (dual digital transistors) EMD5/UMD5N 说明书 EMD5/UMD5N是罗姆推出的一款双数字晶体管，该晶体管集成了DTA143X芯片和DTC144E芯片，可以安装在EMT3或UMT3自动装配机上。
General purpose transistor (isolated transistor and diode) QSZ3 说明书 QSZ3 是 ROHM 公司生产的一种双管晶体管，它集成了 2SB1705 和 2SD2670 两个晶体管，封装形式为 TSMT5，具有低 VCE(sat) 和小封装的特点。
General Purpose Transistor MMBTA70 说明书 MMBTA70是Kexin生产的SOT-23封装的NPN通用三极管。最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-4V，最大集电极电流为-100mA。
