GENERAL Semiconductor 1N4681 THRU 1N4717 ZENER DIODES ADVANCED INFORMATION 1N4681-1N4717系列二极管是标准的硅平面齐纳二极管，额定电压为1.8-2.7伏，最大反向电流为50微安，最大齐纳电流为1毫安，最大功耗为500毫瓦，最大工作温度为175摄氏度。
GENERAL SEMICONDUCTOR ZMM5225 THRU ZMM5267 Data Sheet ZMM5225-ZMM5267是可在DO-35、SOT-23和SOD-123封装中使用的硅平面功率齐纳二极管。其标准齐纳电压公差为±5%（带有“B”后缀）。其他公差可应要求提供。
GENERAL SEMICONDUCTOR SM15T SERIES 数据手册 该文档介绍了SM15T系列TRANSZORB™表面贴装瞬态电压抑制器的特点和特性，包括用于优化板空间的表面贴装应用、低外形尺寸、内置应变缓解、玻璃钝化结构、低电感、优异的夹持能力等。
GENERAL SEMICONDUCTOR 2N4126 数据手册 2N4126是PNP硅结型晶体管，适用于开关和放大应用。尤其是适合AF-驱动器和低功率输出级。作为互补型，建议使用NPN晶体管2N4124。
GENERAL SEMICONDUCTOR EGP50A THRU EGP50G 数据手册 EGP50A THRU EGP50G GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER是艾默生电子的一种高效率整流器，其特征包括塑料包装具有UL 94V-0防火分类、无腔隙玻璃钝化结、超快恢复时间，低正向压降、高电流能力、低漏电流、高浪涌电流能力、高温冶金粘结结构、高温焊接保证等。
GENERAL SEMICONDUCTOR P4KE6.8 THRU P4KE440CA Data Sheet 该文档介绍了P4KE6.8到P4KE440CA型号的TRANSZORB™瞬态电压抑制器的特点和特性，包括击穿电压、峰值脉冲功率、耐压能力、夹持能力、响应时间等。
GENERAL Semiconductor BYWB29-50 THRU BYWB29-200 FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER 本文档介绍了BYWB29系列快速高效的塑料整流二极管的特点和特性，包括反向电压范围、正向电流、塑料封装等。
GENERAL SEMICONDUCTOR 1N5711 and 1N6263 数据手册 该文件介绍了1N5711和1N6263肖特基二极管的特点和特性，包括用途、前向电压降和快速开关等。此外，还提供了该二极管的机械数据、最大额定值和热特性，以及电气特性如反向击穿电压、泄漏电流、正向电压降、结电容和反向恢复时间等。
GENERAL SEMICONDUCTOR 1N5615GP THRU 1N5623GP 数据手册 1N5615GP THRU 1N5623GP是GEC的玻璃钝化结快速开关整流器，反向电压范围为200-1000V，额定正向电流为1.0A。
General Purpose Transistors BC 546 ... BC 549 Data Sheet BC 546-BC 549 是通用型 NPN 硅外延平面晶体管，具有 500 mW 的功耗，采用 TO-92 塑料外壳，重量约 0.18 克。
GENERAL SEMICONDUCTOR KBP005M THRU KBP10M 3N246 THRU 3N252 数据手册 3N246-3N252是KBP005M-KBP10M系列的玻璃钝化单相整流桥，额定反向电压50-1000V，额定正向电流1.5A。
GENERAL SEMICONDUCTOR SBL2030PT AND SBL2040PT Data Sheet SBL2030PT和SBL2040PT是一种双向整流器，主要用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。它具有低功耗、高效率、高电流能力和低正向电压降等特点。
GENERAL SEMICONDUCTOR MMBZ5225 THRU MMBZ5267 Data Sheet 该文件介绍了硅平面功率稳压二极管的特点和特性。该二极管具有标准稳压电压公差为±5%，还提供其他公差选项。此外，该二极管还提供了不同封装形式，如Mini-MELF封装、DO-35封装和SOD-123封装。
