FAIRCHILD FDS6961A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6961A是Fairchild Semiconductor公司生产的一种N沟道逻辑级MOSFET，具有低导通电阻、高性能和快速开关特性，适用于低压和电池供电应用
FAIRCHILD FDS6930B Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6930B是一款双N通道逻辑电平功率场效应晶体管，具有5.5A，30V的额定值，具有快速开关速度、低门电荷、高性能沟道技术等特点。
FAIRCHILD FDS6930A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6930A 是 Fairchild Semiconductor 生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，采用了 PowerTrench 工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，在这些应用中需要低线损和快速开关。
FAIRCHILD FDS6912 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6912是一款双N通道逻辑级PWM优化PowerTrench MOSFET，其特点是速度更快，门极电荷更低，适用于使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器。
FAIRCHILD FDS6911 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6911双通道N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET的特点和特性。这些器件适用于低压和电池供电应用，具有低线路功耗和快速切换的要求。
FAIRCHILD FDS6910 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6910是Fairchild Semiconductor生产的双N通道逻辑电平PowerTrench MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件适用于低压和电池供电的应用，在这些应用中需要低的线路功耗和快速的开关速度。
FAIRCHILD FDS6900AS Dual N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 说明书 FDS6900AS 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的双 N 通道 PowerTrench SyncFET。该产品具有优异的功率转换效率，适用于 notebook 电脑等电子设备的 DC:DC 电源供应。
FAIRCHILD FDS6898AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6898AZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET。这些器件适用于需要低在线功耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDS6898A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6898A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道逻辑级PWM优化PowerTrench MOSFET，具有低导通电阻、低门电荷、高性能沟槽技术和高功率和电流处理能力等特点。
FAIRCHILD FDS6894AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6894AZ是Fairchild Semiconductor推出的一种逻辑级N通道功率MOSFET，其采用先进的PowerTrench工艺，具有非常低的RDS(ON)和优异的开关性能。该产品适用于需要低线损和快速开关的低电压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDS6892A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6892A双通道N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchMOSFET。这些MOSFET采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最大限度地减小导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该产品特别适用于低压和电池供电的应用，需要低线损耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6890A是Fairchild Semiconductor生产的双N通道2.5V指定MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，可实现快速开关速度和高功率和电流处理能力
FAIRCHILD FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6875是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V额定功率沟槽MOSFET，它具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷特性，适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
FAIRCHILD FDS6699S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET(TM) 说明书 FDS6699S是FAIRCHILD公司的一款30V N沟道电源管，具有极低的RDS(ON)和快速开关速度等特点，可应用于同步DC/DC电源等场合。
FAIRCHILD FDS6690AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET(TM) 说明书 FDS6690AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 是一款高性能场效应晶体管，具有低RDS(ON)和低栅极电荷。它包括一个集成的肖特基二极管，使用Fairchild的单片SyncFET技术。
FAIRCHILD FDS6690A Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6690A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的单N通道逻辑电平MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和高开关性能。该器件适用于低电压和电池供电应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6682 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6682是一款30V N沟道PowerTrench MOSFET，专门设计用于提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它经过优化，可在“低侧”同步整流器中进行操作，在小型封装中提供极低的RDS(ON)。
